Вышедшие номера
Варизонный детектор ионизирующего излучения
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Шиленас А.1, Ясутис В.1, Дапкус Л.1, Киндурис А.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Исследован токовый отклик варизонных слоев AlxGa1-xAs на оптическое и рентгеновское излучение. Варизонное поле в слоях AlxGa1-xAs толщиной 15 мкм с изменением x от 0 до 0.4 обеспечивает полное собирание зарядов, генерируемых ионизирующим излучением, и позволяет получить ампер-ваттную чувствительность AlxGa1-xAs до 0.25 А/Вт. В слоях с пониженным легированием узкозонной стороны варизонного слоя AlxGa1-xAs вольт-ваттная чувствительность к рентгеновскому излучению с энергией ниже 15 кэВ достигает в фотовольтаическом режиме 1.6· 103 В/Вт.