"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Варизонный детектор ионизирующего излучения
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Шиленас А.1, Ясутис В.1, Дапкус Л.1, Киндурис А.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Исследован токовый отклик варизонных слоев AlxGa1-xAs на оптическое и рентгеновское излучение. Варизонное поле в слоях AlxGa1-xAs толщиной 15 мкм с изменением x от 0 до 0.4 обеспечивает полное собирание зарядов, генерируемых ионизирующим излучением, и позволяет получить ампер-ваттную чувствительность AlxGa1-xAs до 0.25 А/Вт. В слоях с пониженным легированием узкозонной стороны варизонного слоя AlxGa1-xAs вольт-ваттная чувствительность к рентгеновскому излучению с энергией ниже 15 кэВ достигает в фотовольтаическом режиме 1.6· 103 В/Вт.
  1. J. Pov zela, K. Pov zela, A. v Silenas, V. Juciene, L. Dapkus, V. Jasutis, G. Tamulaitis, A. v Zukauskas, R.-A. Bendorius. Nucl. Instrum. Meth. A, 434, 169 (1999)
  2. J. Pov zela, K. Pov zela, A. v Silenas, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 39, 139 (1999)
  3. А.Н. Именков, Н. Назаров, Б.С. Сулейменов, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 12, 2377 (1978)
  4. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, Н. Рахимов, Т.С. Табаров. Письма ЖТФ, 4, 369 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.