"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование нанокристаллов кремния с выделенной ориентацией (110) в аморфных пленках Si : H на стеклянных подложках при наносекундных воздействиях ультрафиолетового излучения
Ефремов М.Д.1, Болотов В.В.2, Володин В.А.1, Кочубей С.А.1, Кретинин А.В.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

С применением методик комбинационного рассеяния света установлено, что в пленках аморфного кремния при наносекундных воздействиях ультрафиолетового лазерного излучения с плотностями энергии от 75 до 150 мДж/см2 образуются нанокристаллы кремния с размерами от 2 нм и с выделенной ориентацией (110) по нормали к пленке. В системе взаимно ориентированных нанокристаллов Si экспериментально обнаружена анизотропная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния света в различных поляризационных геометриях, что позволило определить объемную долю ориентированных нанокристаллов. Эффект ориентации предположительно обусловлен влиянием как макроскопических полей упругих напряжений в пленке, так и локальных полей упругих напряжений вокруг нанокристаллов.
  1. Х. Фрицше. Аморфный кремний и родственные материалы (М., Мир, 1991)с. 214. [Пер. с англ.: H. Fritzsche Amorphous Silicon and Related Materials (Singapore--N. Y.--London--Hong Kong, World, 1989)]
  2. J.E. Fair. Sol. St. Technol., 8, 47 (1992)
  3. А.Б. Лиманов, В.А. Чубаренко, В.М. Борисов, А.Ю. Виноходов, А.И. Демин, О.Б. Христофоров, А.В. Ельцов, Ю.Б. Кирюхин. Микроэлектроника, 28, 30 (1999)
  4. V.V. Bolotov, M.D. Efremov, L.I. Fedina, E.A. Lipatnikov, V.A. Volodin, I.G. Neizvestnii. Abstracts of Spring Meeting of Material Reseach Society (San Francisco, USA, 1993) p. A9.54
  5. M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, L.I. Fedina, E.A. Lipatnikov, I.G. Neizvestnii. Proc. 15-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Conf. on Coherent and Nonlinear Optics (St. Petersburg, Russia, 1995)
  6. M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, L.I. Fedina, E.A. Lipatnikov. J. Phys.: Condens. Matter., 8, 273 (1996)
  7. M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, L.I. Fedina, A.A. Gutakovskii, S.A. Kochubei. Sol. St. Phenomena, 57--58, 507 (1997)
  8. M.D. Efremov, V.A. Volodin, V.V. Bolotov, A.V. Vishnyakov, O.K. Shabanova, D.I. Bragin, L.I. Fedina, S.A. Kochubei. Sol. St. Phenomena, 69--70, 557 (1999)
  9. T. Sameshima, S. Usui. J. Appl. Phys., 70, 1281 (1991)
  10. J.E. Smith, Jr., M.H. Brodsky, B.L. Crowder, M.I. Nathan. Phys. Rev. Lett., 26, 642 (1971)
  11. Z. Iqbal, S. Veptek, A.P. Webb, P. Capezzuto. Sol. St. Commun., 37, 993 (1981)
  12. Jian Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
  13. R. Tsu, J. G.-Hernandes, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)
  14. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
  15. V. Paillard, P. Puech. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
  16. G. Bauer, W. Richter. Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers (Springer, 1996) p. 138
  17. М.В. Волькенштейн. ДАН, 32, 185 (1941)
  18. D. Bermejo, M. Cardona. J. Non-Cryst. Sol., 32, 405 (1978)
  19. M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, S.A. Kochubei. Sol. St. Commun., 108, 645 (1998)
  20. E. Bustarret, M.A. Hachicha, M. Brunel. Appl. Phys. Lett., 52, 1675 (1988)
  21. Yong Sun, T. Miyasato, J.K. Wigmore. Appl. Phys. Lett., 70, 508 (1997)
  22. G.Q. Di, H. Lin, N. Uchida, Y. Kurata, K. Kuomoto, S. Hasegawa. Appl. Phys. Lett., 68, 69 (1996)
  23. Н.М. Игонина. Автореф. канд. дис. (Новосибирск, 1985)
  24. D.R. McKenzie, M.M.M. Bilek. J. Appl. Phys., 86, 230 (1999)
  25. K.M.A. El-Kader, J. Oswald, J. Kocha, V. Chab. Appl. Phys. Lett., 64, 2555 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.