"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зарядовые эффекты, контролирующие токовый гистерезис и отрицательное дифференциальное сопротивление в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2
Берашевич Ю.А.1, Данилюк А.Л.1, Холод А.Н.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 16 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Предложена кинетическая модель переноса носителей заряда в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2 по локализованным состояниям в диэлектрике. Показано, что возникновение встроенного электрического поля в диэлектрике в результате поляризации захваченного локализованными центрами заряда и последующий разряд этих центров объясняют гистерезис вольт-амперных характеристик при смене полярности приложенного внешнего напряжения и приводят к появлению участка отрицательного дифференциального сопротивления на этих характеристиках. Наиболее значимым фактором в появлении отрицательного дифференциального сопротивления в исследуемых структурах является плотность носителей заряда на контактах и величина зарядового напряжения. При температуре ниже 250 K участок отрицательного дифференциального сопротивления исчезает. Показано, что при экспериментальной регистрации вольт-амперных характеристик эффект от заряда--разряда локализованных центров должен уменьшаться при увеличении временного интервала измерения тока при постоянном напряжении и увеличении шага изменения приложенного напряжения и практически исчезает при 20 с и 0.6 В соответственно.
  1. L.L. Chang, P.J. Stiles, L. Esaki. J. Appl. Phys., 38, 4440 (1967)
  2. L. Esaki. Phys. Rev., 109, 63 (1958)
  3. S. Menard, A.N. Kholod, M. Liniger, F. Bassani, V.E. Borisenko, F. Arnaud d'Avitaya. Phys. St. Sol. (a), 181, 424 (2000)
  4. S. Menard, M. Liniger, F. Bassani, F. Arnaud d'Avitaya, A.N. Kholod. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko et al. (World Scientific, Singapore, 1999) p. 365
  5. Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко. ФТП, 35 (1), 110 (2001)
  6. E.H. Nicollian. J. Vac. Sci. Technol., 14, 1112 (1977)
  7. V. Ioannou-Sougleridis, T. Ouisse, A.G. Nassiopoulou, F. Bassani, F. Arnaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 89 (1), 610 (2001)
  8. M.T. Cuberes, A. Bauer, H.J. Wen, M. Prietsch, G. Kaindl. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 2646 (1994)
  9. V. Ioannou-Sougleridis, T. Tsakiri, A.G. Nassiopoulou, F. Bassani, S. Menard, F. Arnaud d'Avitaya. European Projects: Silicon Modules for Integrated Light Engineering (Marseille, France, 2000) p. 133
  10. В.Я. Кирпиченков. ЖЭТФ, 113, 1522 (1998)
  11. К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах (М., Мир, 1984) т. 1, с. 350. [Пер. с англ.: K.C. Kao, W. Hwang. Electrical transport in solids (Oxford--N. Y.--To-ronto--Sydney--Paris--Frankfurt, Pergamon Press) v. 1]
  12. J.M. Shannon, B.A. Morgan. J. Appl. Phys., 86, 1548 (1999)
  13. C. Svensson, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 44, 4657 (1973)
  14. В.Е. Борисенко, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод. Микроэлектроника, 27, 170 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.