Поступила в редакцию: 20 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Исследованы проводимость и эффект Холла при T=4.2-125 K в кристаллах p-Hg0.78Cd0.22Te, содержащих 3· 1016 см-3 примеси меди и 1.83· 1016 см-3 вакансий Hg (одновременно или же раздельно друг от друга). В таких кристаллах выше 10-12 K доминирует varepsilon1-проводимость по валентной зоне, а ниже 8-10 K - прыжковая проводимость. При этом в образцах, содержащих одновременно и медь, и вакансии, наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Обнаружено, что varepsilon1-проводимость легированных медью кристаллов не зависит от присутствия вакансий, тогда как прыжковая проводимость существенно увеличивается при введении их в легированный кристалл. Это явление объяснено присоединением дырок нейтральными вакансиями ртути. Выполнен расчет энергии присоединения и найдено, что в основном состоянии она равна 3.7 мэВ. Флуктуационное уширение примесной зоны в твердых растворах приводит к перекрытию примесных зон, образованных акцепторными уровнями меди и уровнями дырок, присоединенных вакансиями.
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 185
- Н. Мотт, Е. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
- Е.М. Гершензон, Г.Н. Гольцман, А.П. Мельников. Письма ЖЭТФ, 14, 281 (1975)
- В.В. Богобоящий, Г.А. Шепельский, С.Г. Гасан-заде. ФТП 34 (4), 411 (2000)
- В.В. Богобоящий. ФТП 35 (1), 34 (2001)
- А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15 (5), 927 (1981)
- В.В. Богобоящий. ФТП 34 (8), 955 (2000)
- V.V. Bogoboyashchiy. Semicond. Physics, Quantum \& Opto-electronics, 2 (1), 62 (1999)
- В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафеев, В.Н. Северцев. ФТП 21 (8), 1469 (1987)
- V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
- В.В. Богобоящий. Конденсированные среды и межфазные границы, 2 (2), 132 (2000)
- N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1, 1 (1968)
- Б.Л. Гельмонт, М.С. Дьяконов. ФТП, 5 (11), 2191 (1971)
- Б.Л. Гельмонт, А.Р. Гаджиев, Б.Л. Шкловский, И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос. ФТП, 8, 2377 (1974)
- А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой квантовой фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984) с. 126
- C.K. Shin, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 1231 (1987)
- К.Р. Курбанов, В.В. Богобоящий. Конденсированные среды и межфазные границы, 1 (3), 245 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.