"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности прыжковой проводимости кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te при двойном легировании
Богобоящий В.В.1
1Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
Поступила в редакцию: 20 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Исследованы проводимость и эффект Холла при T=4.2-125 K в кристаллах p-Hg0.78Cd0.22Te, содержащих 3· 1016 см-3 примеси меди и 1.83· 1016 см-3 вакансий Hg (одновременно или же раздельно друг от друга). В таких кристаллах выше 10--12 K доминирует varepsilon1-проводимость по валентной зоне, а ниже 8--10 K --- прыжковая проводимость. При этом в образцах, содержащих одновременно и медь, и вакансии, наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Обнаружено, что varepsilon1-проводимость легированных медью кристаллов не зависит от присутствия вакансий, тогда как прыжковая проводимость существенно увеличивается при введении их в легированный кристалл. Это явление объяснено присоединением дырок нейтральными вакансиями ртути. Выполнен расчет энергии присоединения и найдено, что в основном состоянии она равна 3.7 мэВ. Флуктуационное уширение примесной зоны в твердых растворах приводит к перекрытию примесных зон, образованных акцепторными уровнями меди и уровнями дырок, присоединенных вакансиями.
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 185
  2. Н. Мотт, Е. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
  3. Е.М. Гершензон, Г.Н. Гольцман, А.П. Мельников. Письма ЖЭТФ, 14, 281 (1975)
  4. В.В. Богобоящий, Г.А. Шепельский, С.Г. Гасан-заде. ФТП 34 (4), 411 (2000)
  5. В.В. Богобоящий. ФТП 35 (1), 34 (2001)
  6. А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15 (5), 927 (1981)
  7. В.В. Богобоящий. ФТП 34 (8), 955 (2000)
  8. V.V. Bogoboyashchiy. Semicond. Physics, Quantum \& Opto-electronics, 2 (1), 62 (1999)
  9. В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафеев, В.Н. Северцев. ФТП 21 (8), 1469 (1987)
  10. V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
  11. В.В. Богобоящий. Конденсированные среды и межфазные границы, 2 (2), 132 (2000)
  12. N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1, 1 (1968)
  13. Б.Л. Гельмонт, М.С. Дьяконов. ФТП, 5 (11), 2191 (1971)
  14. Б.Л. Гельмонт, А.Р. Гаджиев, Б.Л. Шкловский, И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос. ФТП, 8, 2377 (1974)
  15. А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой квантовой фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984) с. 126
  16. C.K. Shin, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 1231 (1987)
  17. К.Р. Курбанов, В.В. Богобоящий. Конденсированные среды и межфазные границы, 1 (3), 245 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.