Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние эффекта экранирования на пассивацию дырочного кремния водородом
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 31 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Проведено моделирование пассивации дырочного кремния в процессе диффузии водорода путем решения диффузионно-кинетических уравнений с учетом образования водородно-акцепторных пар, внутреннего электрического поля и эффекта экранирования. Экранирование свободными носителями ионов водорода и акцепторной примеси приводит к уменьшению их радиуса взаимодействия и ослаблению концентрационной зависимости коэффициента диффузии водорода при высоких уровнях легирования кремния. Соответствие расчетных и экспериментальных профилей дырок и водородно-акцепторных пар достигается в широком диапазоне уровней легирования кремния бором от 4· 1014 до 1.2· 1020 см-3 при энергии связи пар 0.70-0.79 эВ. Радиус кулоновского взаимодействия ионов водорода и бора при слабом легировании составляет 35 Angstrem и уменьшается с увеличением уровня легирования.
- N.M. Johnson, C. Doland, F. Ponce, J. Walker, G. Anderson. Physica B, 170, 3 (1991)
- S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in crystalline semiconductors (Springer Verlag, Berlin, 1992) ch. 2, 4, 9
- Y. Ohmura, K. Abe, M. Ohtaka, A. Kimoto, M. Yamaura. Mater. Sci. Forum, 258--263, 185 (1997)
- S.T. Pantelides. Appl. Phys. Lett., 50, 995 (1987)
- M. Capizzi, A. Mittiga. Appl. Phys. Lett., 50, 918 (1987)
- D. Mathiot. Phys. Rev. B, 40, 5867 (1989)
- R. Rizk, P. de Mierry, D. Ballutaud, M. Aucouturier, D. Mathiot. Phys. Rev. B, 44, 6141 (1991)
- Е.Д. Горнушкина, Р.Ш. Малкович. Электрон. техн., сер. 6, вып. 7, 73 (1991)
- C.H. Seager, R.A. Anderson. Appl. Phys. Lett., 53, 1181 (1988)
- J.P. Kalejs, S. Rajendran. Appl. Phys. Lett., 55, 2763 (1989)
- J.T. Borenstein, J.W. Corbett, S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 73, 2751 (1993)
- C.P. Herrero, M. Stutzmann, A. Breitschwerdt, P.V. Santos. Phys. Rev. B, 41, 1054 (1990)
- B.Y. Tong, X.W. Wu, C.R. Yang, S.K. Wong. Canadian J. Phys., 67, 379 (1989)
- N.M. Johnson, M.D. Moyer. Appl. Phys. Lett., 46, 787 (1985)
- A. Van Wieringen, N. Warmoltz. Physica, 22, 849 (1956)
- T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 39, 13 549 (1989)
- Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) гл. 4, с. 154
- J.I. Pankove, R.O. Wance, J.E. Berkeyheiser. Appl. Phys. Lett., 45, 1100 (1984)
- C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 49, 4579 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
