"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние эффекта экранирования на пассивацию дырочного кремния водородом
Александров О.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Проведено моделирование пассивации дырочного кремния в процессе диффузии водорода путем решения диффузионно-кинетических уравнений с учетом образования водородно-акцепторных пар, внутреннего электрического поля и эффекта экранирования. Экранирование свободными носителями ионов водорода и акцепторной примеси приводит к уменьшению их радиуса взаимодействия и ослаблению концентрационной зависимости коэффициента диффузии водорода при высоких уровнях легирования кремния. Соответствие расчетных и экспериментальных профилей дырок и водородно-акцепторных пар достигается в широком диапазоне уровней легирования кремния бором от 4· 1014 до 1.2· 1020 см-3 при энергии связи пар 0.70-0.79 эВ. Радиус кулоновского взаимодействия ионов водорода и бора при слабом легировании составляет 35 Angstrem и уменьшается с увеличением уровня легирования.
  1. N.M. Johnson, C. Doland, F. Ponce, J. Walker, G. Anderson. Physica B, 170, 3 (1991)
  2. S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in crystalline semiconductors (Springer Verlag, Berlin, 1992) ch. 2, 4, 9
  3. Y. Ohmura, K. Abe, M. Ohtaka, A. Kimoto, M. Yamaura. Mater. Sci. Forum, 258--263, 185 (1997)
  4. S.T. Pantelides. Appl. Phys. Lett., 50, 995 (1987)
  5. M. Capizzi, A. Mittiga. Appl. Phys. Lett., 50, 918 (1987)
  6. D. Mathiot. Phys. Rev. B, 40, 5867 (1989)
  7. R. Rizk, P. de Mierry, D. Ballutaud, M. Aucouturier, D. Mathiot. Phys. Rev. B, 44, 6141 (1991)
  8. Е.Д. Горнушкина, Р.Ш. Малкович. Электрон. техн., сер. 6, вып. 7, 73 (1991)
  9. C.H. Seager, R.A. Anderson. Appl. Phys. Lett., 53, 1181 (1988)
  10. J.P. Kalejs, S. Rajendran. Appl. Phys. Lett., 55, 2763 (1989)
  11. J.T. Borenstein, J.W. Corbett, S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 73, 2751 (1993)
  12. C.P. Herrero, M. Stutzmann, A. Breitschwerdt, P.V. Santos. Phys. Rev. B, 41, 1054 (1990)
  13. B.Y. Tong, X.W. Wu, C.R. Yang, S.K. Wong. Canadian J. Phys., 67, 379 (1989)
  14. N.M. Johnson, M.D. Moyer. Appl. Phys. Lett., 46, 787 (1985)
  15. A. Van Wieringen, N. Warmoltz. Physica, 22, 849 (1956)
  16. T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 39, 13 549 (1989)
  17. Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) гл. 4, с. 154
  18. J.I. Pankove, R.O. Wance, J.E. Berkeyheiser. Appl. Phys. Lett., 45, 1100 (1984)
  19. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 49, 4579 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.