"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе между квантовыми ямами с разной подвижностью
Бирюлин П.И.1, Горбацевич А.А.1, Капаев В.В.2, Копаев Ю.В.2, Трофимов В.Т.2
1Московский государственный институт электронной техники, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Численно исследован электронный транспорт в гетероструктуре с туннельно-связанными квантовыми ямами в условиях сильной неодномерности потенциала в структуре. Рассчитаны вольт-амперные характеристики, распределение потенциала, подвижность и концентрация электронов в квантовых ямах. Численный метод основан на двумерном согласованном расчете квантовых и классических областей гетероструктуры. Впервые показано, что в таких гетероструктурах возможен эффект, аналогичный эффекту Ганна в однородном полупроводнике. Эффект обусловлен туннельным переходом электронов между квантовыми ямами с разной подвижностью и характеризуется образованием домена сильного поля и участком с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике.
  1. H. Sakaki. Japan J. Appl. Phys., 21(6), L381 (1982)
  2. S. Kirchoefer, R. Magno, J. Comas. Appl. Phys. Lett., 44, 1054 (1984)
  3. J.M. Pond, S. Kirchoefer, E.J. Gukauskas. Appl. Phys. Lett., 47, 1175 (1985)
  4. B. Vinter, A.Tardela. Appl. Phys. Lett., 50, 410 (1987)
  5. A.A. Gorbatsevich, V.V. Kapaev, Yu.V. Kopaev, V.Ya. Kremlev. Phys. Low-Dim. Structur., 4/5, 57 (1994)
  6. A. Palevski, F. Beltram, F. Capasso, L. Pfeiffer, K. West. Phys. Rev. Lett., 65, 1929 (1990)
  7. Y. Ohno, M. Tsuchiya, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 62, 1952 (1993)
  8. P. I. Biryulin, S.P. Grishechkina, A.S. Ignatiev, Yu.V. Kopaev, S.S. Shmelev, V.T. Trofimov, N.A. Volchkov. Semicond. Sci. Technol., 12 (4), 427 (1997)
  9. В.Л. Борблик, З.С. Грибников, Б.П. Маркевич. ФТП, 25, 1302 (1991)
  10. V.I. Belyavsky, Yu.V. Kopaev, Yu.A. Pomerantsev, Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 1 (1997)
  11. Ф.Т. Васько, О.Э. Райчев. ЖЭТФ, 107, 951 (1995)
  12. P. Owen, M. Pepper. Semicond. Sci. Technol., 8 (10), 123 (1993)
  13. P. Owen, M. Pepper. Appl. Phys. Lett., 62, 1274 (1993)
  14. P.I. Biryulin, Yu.V. Kopaev, V.T. Trofimov, N.A. Volchkov. Semicond. Sci. Technol., 14 (8), 699 (1999)
  15. H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue. Appl. Phys. Lett., 51, 1934 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.