"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Состояние поверхности поликристаллических слоев CdTe, облученных импульсным лазерным излучением
Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Мозоль П.Е.1, Смирнов А.Б.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

Исследованы оже-спектры, электронно-микроскопические изображения, карты-распределения химических элементов по поверхности поликристаллических слоев CdTe до и после облучения импульсами лазерного излучения модулированной добротности длительностью 2·10-8 с и плотностью энергии ниже порога разрушения или плавления материала. Показано, что лазерное облучение поликристаллических слоев: очищает поверхность от областей с диэлектрической фазой; приводит к модификации поверхности, сопровождающейся изменением стехиометрии на глубине ~3 мкм. После удаления этого слоя происходит улучшение однородности поверхности поликристиллических слоев. Оценена глубина проникновения атомов углерода в поликристаллический слой. Показано влияние изменения стехиометрии поверхности после лазерного облучения на фотоэлектрические свойства поликристаллических слоев CdTe.
  1. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, В.А. Гнатюк, Б.К. Дaулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 23, 56 (1993)
  2. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Любченко, П.Е. Мозоль, А.В. Понедилок. Неорг. матер., 36, 1 (2000)
  3. А. Байдуллаева, Н.Е. Корсунская, Б.Б. Джумаев, П.Е. Мозоль, Г. Гарядыев. УФЖ, 34, 1019 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.