"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние хвостов зон a-Si : H на заполнение состояний оборванных связей и величину фотопроводимости
Кузнецов С.В.1, Теруков Е.И.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

Представлены результаты численного расчета температурных зависимостей фотопроводимости и заполнения состояний оборванных связей для a-Si : H с различным уровнем легирования. Расчеты показывают, что энергетическое положение ловушек оказывает существенное влияние на характер температурных зависимостей фотопроводимости. Это влияние осуществляется не только через участие ловушек в рекомбинации при низких температурах, но и через влияние на заполнение состояний оборванных связей. Установлено, что для a-Si : H p-типа концентрация нейтральных оборванных связей (D0-центров) в области средних и низких температур не зависит от уровня Ферми. Показано, что эта особенность --- следствие асимметрии положения D0- и D--центров (отрицательно заряженных оборванных связей), а не асимметричности расположения ловушек в запрещенной зоне относительно краев разрешенных зон.
  1. P.E. Vanier. Solar. Cells, 9, 85 (1983)
  2. С.В. Кузнецов. ФТП, 34, 748 (2000)
  3. S.V. Kuznetsov. J. Non-Cryst. Sol. (in press)
  4. H. Fritzsche, M.Q. Tran, B.-G. Yoon, D.-Z. Chi. Proc. of ICAS 14 (Garmisch-Partenkirchen, 1991)
  5. F. Vaillant, D. Jousse, J.-C. Bruyere. Phil. Mag. B, 57, 649 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.