Исследуется кооперативная генерация фононных импульсов в полупроводниках группами инвертированных квазиэквидистантных многоуровневых связанных возбуждений (электроны, экситоны). Подобные эквидистантные системы имеют место в халькогенидных стеклах с фрактальной структурой. Показано, что кооперативная генерация неравновесных локализованных фононов (фрактонов) может быть наблюдаема при экспериментальном изучении релаксации групп возбужденных атомов после прохождения короткого лазерного импульса через образец. Увеличение коэффициента поглощения в процессе возбуждения стекол коротким лазерным импульсом сравнительно малой мощности обусловлено генерацией неравновесных когерентных локализованных фононов в процессе релаксации неравновесных возбуждений. Эти когерентные неравновесные локализованные фононы сильно изменяют топологию случайного потенциала и, таким образом, открывают новый канал межзонного поглощения света. Данные переходы имеют место с одновременным участием фотонов и локализованных фононов. Получены кинетические уравнения, описывающие релаксацию локализованных электронов, для двух случаев. Первый описывает поведение связанных электронов в мелких квантовых ямах. Второй реализован для глубоких квантовых ям. Процесс релаксации сильно зависит от динамической симметрии связанной электрон-фононной (или экситон-фононной) системы. Решения этих уравнений соответствуют экспериментальным данным.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.