Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термодинамический анализ роста тройных соединений GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Одноблюдов В.А.¹, Ковш А.Р.¹, Жуков А.Е.¹, Малеев Н.А.¹, Семенова Е.С.¹, Устинов В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 октября 2000 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлена термодинамическая модель описания процессов роста тройных твердых растворов GaAsN. Модель позволяет предсказать содержание азота в слоях GaAsN в зависимости от внешних параметров (потоков молекулярного азота и мышьяка, скорости роста, температуры подложки). С помощью предложенной модели находят объяснение такие экспериментальные факты, как насыщение зависимости состава от внешнего потока азота, существование области постоянного состава в зависимости состава от температуры, а также уширение пика люминесценции по сравнению с идеальным случаем.

Р. Хекингботом. В кн.: Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга, К. Плога (М., Мир, 1989) с. 65
П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988)
А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, П.С. Копьев. ФТП, 31 (10), 1153 (1997)
V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
B. Bochert, A.Yu. Egorov, S. Illek, H. Riechert. IEEE Photon. Technol. Lett., 12 (6), 597 (2000)
D.A. Livshits, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Electron Lett., 36 (16), 2000
Z.Z. Bandic, R.J. Hauenstein, M.L. O'Steen, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 68 (11), 1510 (1996)
Z. Pan, L.H. Li, W. Zhang, Y.W. Lin, R.H. Wu. Appl. Phys. Lett., 77 (2), 214 (2000)
Y. Qiu, S.A. Nikishin, H. Temkin, V.A. Elyukhin, Yu.A. Kudriavtsev. Appl. Phys. Lett., 70 (21), 2831 (1997)
A.S. Jordan, M. Ilegems. J. Phys. Chem. Sol., 36, 329 (1975)
T. Kitatani, M. Kondow, K. Nakahara, M.C. Larson, Y. Yazawa, M. Okai, K. Uomi. J. Cryst. Growth, 201/202, 351 (1999)
Б.В. Воловик, А.Р. Ковш, W. Passenberg, H.Kuenzel, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 26 (10), 88 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель