Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературная диффузия индия в германии, стимулированная атомарным водородом

Матюшин В.М.¹

¹Запорожский государственный технический университет, Запорожье, Украина

Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

PDF версия

Исследуется диффузия индия под воздействием энергии, выделяющейся при рекомбинации атомов водорода в молекулы. Кристаллы германия n-типа проводимости с пленками индия толщиной 0.2-0.3 мкм подвергались воздействию атомарного водорода в течение различного времени (до 2·10⁴ с) при температурах, близких к комнатной. Диффузия индия в германии исследовалась методами лазерной масс-спектрометрии, рентгеноструктурного анализа, а также путем измерения спектров пропускания в инфракрасной области. Предложены механизмы стимулирования гетеродиффузии и сопутствующих процессов.

В.А. Лавренко. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел (Киев, Наук. думка, 1973)
V.M. Matyushin, V.P. Shapovalov, A.R. Koshman. Int. J. Hydrogen Energy, 22 (2/3), 259 (1997)
В.М. Матюшин, В.И. Лищенко, А.Н. Горбань. УФЖ, 32 (9), 1407 (1997)
В.М. Матюшин. ЖТФ, 69 (7), 73 (1999)
Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Физматгиз, 1961)
В.А. Соколов, А.Н. Горбань. Люминесценция и адсорбция (М., Наука, 1969)
Ф.Ф. Волькенштейн, А.Н. Горбань, В.А. Соколов. Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников (М., Наука, 1976)
Л.П. Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1975)
А.И. Курносов. В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов (М., Высш. шк., 1974)
Взаимодействие водорода с металлами. Справочник, под ред. А.П. Захарова (М., Наука, 1987)
Б.И. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников (М., Наука, 1972)
C.T. Glassbrenner, G.A. Sluck. Phys. Rev., 134 (4), 1058 (1964)
W.C. Dunlap. Phys. Rev., 94 (8), 1931 (1954)
M.W. Valenta, C. Ramasastry. Phys. Rev., 106 (1), 73 (1957)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель