Вышедшие номера
Моделирование гистерезиса структуры металл--сегнетоэлектрик--полупроводник
Берман Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Выполнено моделирование гистерезиса зависимости поляризации P от электрического поля E для структуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник применительно к перовскитным материалам. Моделирование основано на анализе экспериментальной петли гистерезиса P(E) для структуры металл-сегнетоэлектрик-металл, которая аппроксимируется гиперболическим тангенсом. Выполнено численное интегрирование уравнения Пуассона с учетом зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от электрического поля. Показано, что деполяризующее действие полупроводника уменьшает остаточную поляризацию в несколько раз, причем эффект деполяризации сильнее в случае полупроводника с меньшей концентрацией примеси.
  1. J. Moll, Y. Tarui. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-10, 338 (1963)
  2. R. Zuleeg, H.H. Wider. Sol. St. Electron., 9, 657 (1966)
  3. S.Y. Wu. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-21, 499 (1974)
  4. K. Sugibuchi, Y. Kurogi, N. Endo. J. Appl. Phys., 46, 2877 (1975)
  5. S.Y. Wu. Ferroelectrics, 11, 379 (1976)
  6. Y. Higuma, Y. Matsui, M. Okuyama, Y. Nakagawa, Y. Hamakagava. Japan. J. Appl. Phys., 17, Suppl. 17-1, 209 (1978)
  7. J.F. Scott, D.A. Araujo. Science, 246, 1400 (1989)
  8. J.T. Evans, R. Womack. IEEE J. Sol. St. Cirquits, 23, 1171 (1988)
  9. Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 66, 1770 (1995)
  10. Y. Watanabe, M. Tanamura, Y. Matsumoto. Japan. J. Appl. Phys., 35, Pt 1, 1564 (1996)
  11. Y. Watanabe. Phys. Rev. B, 59, 11 257 (1999)
  12. Y. Watanabe, M. Tanamura, Y. Matsumoto, H. Asami. Appl. Phys. Lett., 66, 299 (1995)
  13. Б.М. Вул, Г.М. Гуро, И.И. Иванчик. ФТП, 4, 162 (1970)
  14. Б.В. Сандомирский, Ш.С. Хохлов, Е.В. Ченский. ФТП, 16, 440 (1982)
  15. R.R. Mehta, B.D. Silverman, J.T. Jacobs. J. Appl. Phys., 44, 3379 (1973)
  16. I.P. Batra, P. Wurfel. Phys. Rev. B, 8, 3257 (1973)
  17. P. Wurfel, I.P. Batra. Phys. Rev. B, 8, 5126 (1973)
  18. Y. Watanabe. J. Appl. Phys., 83, 2179 (1988)
  19. Y. Watanabe. Phys. Rev. B, 57, 789 (1998)
  20. S.L. Miller, P.J. Mc Whorter. J. Appl. Phys., 72, 5999 (1992)
  21. E. Tokumitsu, K. Itani, B.-K. Moon, H. Ishiwara. Japan. J. Appl. Phys., 34, Pt 1, 5202 (1995)
  22. Y. Watanabe, Y. Matsumoto, M. Tanamura. Japan. J. Appl. Phys., 34, Pt 1. 5254 (1995)
  23. Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 66, 28 (1995)
  24. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1995) ч. 1
  25. В.М. Фридкин. Фотосегнетоэлектрики (М., Наука, 1979)
  26. И.Е. Тамм. Основы теории электричества (М., Наука, 1989)
  27. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981) т. 1
  28. P.W.M. Bloom, R.M. Wolf, J.F.M. Cilessen, M.P.C.M. Krijn. Phys. Rev. Lett., 73, 2107 (1994)
  29. S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 68, 6463 (1990)
  30. S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 70, 2849 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.