Механизм обратного тока в диодах с барьером Шоттки Al/p-InP
Пипинис П.А.1, Римейка А.К.1, Лапейка В.А.1, Пипинене А.В.1
1Вильнюсский педагогический университет, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 10 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Измерены зависимости тока от напряжения обратного смещения и температуры диодов Шоттки Al/p-InP, изготовленных на эпитаксиальных слоях фосфида индия, легированного цинком. Обратный ток обладает явно выраженной температурной зависимостью с энергией активации 0.75 эВ в высокотемпературной области и 0.51 эВ при температурах <280 K. Результаты объясняются стимулированной фононами туннельной генерацией носителей заряда из поверхностных состояний полупроводника с учетом эмиссии посредством механизма Френкеля. Установлено, что в низкотемпературной области туннелирование осуществляется через центры с уровнями глубиной 0.51 эВ. Из сопоставления результатов опыта с теорией даны оценка напряженности поля в барьере - (5-13)· 107 В/м и поверхностная плотность заряда дырок в граничном слое полупроводника.
- Г.С. Короченков, И.М. Молодян. Микроэлектроника, 2, 168 (1978)
- O. Wada, A. Majerfeld, P.N. Robson. Sol. St. Electron., 25, 381 (1982)
- B. Tuck, G. Eftekhari, D.M. de Cogan. J. Phys. D: Appl. Phys., 15, 457 (1982)
- E. Hokelek, G.Y. Robinson. J. Appl. Phys., 54, 5199 (1983)
- Y.P. Song, R.L. Van Meirhaege, W.H. Laflere, F. Cardon. Sol. St. Electron., 29, 663 (1986)
- A. Singh, K.C. Reinhardt, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 68, 3475 (1990)
- A. Singh, P. Cova, R.A. Masut. J. Appl. Phys., 76, 2336 (1994)
- Z. Ouennoughi, K. Boulkroun, M. Remy, R. Hurgon, J.R. Cussenot. J. Phys. D: Appl. Phys., 27, 1014 (1994)
- Ch.-Y. Wu. J. Appl. Phys., 51, 3786 (1980)
- R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegv znaite. Sol. St. Commun., 55, 25 (1985)
- П.А. Пипинис, А.К. Римейка, В.А. Лапейка. ФТП, 32, 882 (1998)
- P. Pipinys, A. Pipiniene, A. Rimeika. J. Appl. Phys., 86, 6875 (1999)
- Ф.И. Далидчик. ЖЭТФ, 74, 472 (1978)
- И.Я. Френкель. ЖЭТФ, 8, 1292 (1938)
- А.Н. Георгобиани, И.М. Тигиняну. ФТП, 22, 3 (1988)
- P.A. Martin, B.T. Streetman, K. Hess. J. Appl. Phys., 52, 7409 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук