"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Наблюдение ловушек неосновных носителей при нестационарной спектроскопии глубоких уровней в диодах Шоттки с высоким барьером и компенсированной приконтактной областью
Агафонов Е.Н.1, Аминов У.А.1, Георгобиани А.Н.1, Лепнев Л.С.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовались диоды Шоттки на основе монокристаллического селенида цинка n-типа, полученные после ионной имплантации азота и постимплантационной обработки методом радикало-лучевой эпитаксии в атомарном кислороде. На этом примере в приближении высокого барьера Шоттки и компенсированной приконтактной области проанализированы процессы, приводящие к наблюдению в исследуемых структурах ловушек неосновных носителей заряда при отрицательных напряжениях смещения. Представлена методика определения толщины компенсированной области и концентрации ловушек неосновных носителей заряда в ней. На основании результатов нестационарной спектроскопии глубоких уровней и измерений фотолюминесценции описаны механизмы дефектообразования в кристаллах селенида цинка при отжиге в атомарном кислороде.
  1. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений AIIBVI (М., Наука, 1986)
  2. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и контакты металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  3. T. Ido, M. Okada. J. Cryst. Growth, 72, 170 (1985)
  4. M. Karai, K.Kido, H. Naito, K. Kirosawa, M. Okuda, T. Fujino, M. Kitagawa. Phys. St. Sol. (a), 117, 515 (1990)
  5. S. Satoh, K. Igaki. Jap. J. Appl. Phys., 19, 485 (1980)
  6. P. Besomi, B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 53, 3076 (1982)
  7. H.G. Grimmeiss, N. Kullendorff. J. Appl. Phys., 51, 5852 (1980)
  8. B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Phys. Rew. B, 47, 9641 (1993)
  9. G. Karczewski, W. Hu, A. Yin, H. Luo, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 75, 7382 (1994)
  10. W.B. Leigh, B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 55, 1614 (1984)
  11. Y. Shirakawa, H. Kukumoto. J. Appl. Phys., 51, 5859 (1980)
  12. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  13. Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, ФТП, 19, 1382 (1985)
  14. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1
  15. L. Stolt, K. Bohlin. Sol. St. Electron., 28, 1215 (1985)
  16. А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, В.В. Кидалов, А.А. Георгобиани, И.В. Рогозин. Неорг. матер., 29, 1399 (1993)
  17. И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Окись цинка: получение и оптические свойства (М., Наука, 1984)
  18. S. Miyamoto. Jap. J. Appl. Phys., 16, 1129 (1978)
  19. Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
  20. J. Gutowski, N.Pressler, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), 120, 11 (1990)
  21. T. Ohkawa, T. Mitsuyu, O. Yamazaki. J. Cryst. Growth, 86, 329 (1988)
  22. J. Qui, J.M. De Puydt, H. Cheng, M.A. Haasse. Appl. Phys. Lett., 59, 2992 (1991)
  23. I.S. Hauksson, J. Simpson, S.Y. Wang, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Appl. Phys. Lett., 61, 2208 (1992)
  24. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук. Неорг. матер., 35, 917 (1999)
  25. G. Jones, G. Woods. J. Luminecs., 9, 389 (1974)
  26. А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, И.В. Рогозин. В.В. Кидалов. Неорг. матер., 31, 1357 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.