"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инфракрасная томография времени жизни и диффузионной длины носителей заряда в слитках полупроводникового кремния
Ахметов В.Д.1, Фатеев Н.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 30 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Представлен неразрушающий метод измерения трехмерной картины распределения времени жизни и диффузионной длины носителей заряда в слитках кремния длиной до 1 м и диаметром до 0.3 м. Физической основой метода является инфракрасное зондирование слитка с полированными участками поверхности скрещенными лучами. Один луч, импульсно-периодический, с длиной волны 1.15-1.28 мкм, создает избыточные носители в стержнеобразной области, расположенной вдоль траектории луча в слитке, в то время как другие лучи, непрерывные и более длинноволновые, отслеживают временную и пространственную кинетику избыточных носителей в небольшом участке стержнеобразной области и вблизи нее (через поглощение на свободных носителях). В силу удаленности измеряемой области от поверхности слитка метод свободен от необходимости учета поверхностной рекомбинации. Показаны возможности метода на слитке с известной пространственной неоднородностью времени жизни носителей. Достигнуто пространственное разрешение в несколько мм.
  1. J. Linnros. J. Appl. Phys., 84, 275 (1998)
  2. V. Grivikas, J. Linnros, A. Vigelis, J. Seckus, J.A. Tellefsen. Sol. St. Electron., 35, 299 (1992)
  3. Ю.И. Гусев, С.И. Мареников, В.П. Чеботаев. Письма ЖТФ, 3, 305 (1978)
  4. Properties of Silicon. EMIS Datareviews Series N 4 (London--N.Y., INSPEC, 1988) p. 171

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.