"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дальнодействующее влияние облучения ионами аргона на синтез стехиометрической фазы нитрида кремния в cлоях SixNy, сформированных ионной имплантацией
Демидов Е.С.1, Карзанов В.В.1, Лобанов Д.А.1, Марков К.А.1, Сдобняков В.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Исследован эффект стимулирования реакции синтеза фазы Si3N4 в слоях кремния, обогащенных азотом, под влиянием ионной имплантации аргона в обратную сторону кремниевых пластин. Получены зависимости изменения инфракрасного поглощения и удельного сопротивления синтезированных слоев от дозы внедрения аргона. Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности пластин после имплантации аргона с различными дозами. Предложено объяснение эффекта как следствие действия ударных волн, возникающих при микровзрывах пузырьков аргона.
  1. П.В. Павлов, Е.С. Демидов, В.В. Карзанов. Высокочист. вещества, вып. 3, 31 (1993)
  2. П.В. Павлов, К.А. Марков, В.В. Карзанов, Е.С. Демидов. Высокочист. вещества, вып. 2, 56 (1995)
  3. Е.С. Демидов, К.А. Марков, В.В. Карзанов. ФТП, 34, 170 (2000)
  4. Ю.А. Волгин, И.Н. Уханов. Опт. и спектр., 38, вып. 4, 727 (1975)
  5. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) с. 416. [Пер. с англ: M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N.Y.--London, Academic Press, 1970)]
  6. А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск, Изд-во БГУ, 1980) с. 114
  7. О. Ямада. В сб.: Химия синтеза сжиганием, под ред. М. Коидзуми (М., Мир, 1998) с. 68. [Пер. с яп.]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.