Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование центров люминесценции, обязанных присутствию меди и кислорода в ZnSe
Морозова Н.К.1, Каретников И.А.2, Блинов В.В.2, Гаврищук Е.М.2
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
На конденсатах ZnSe, полученных осаждением из газовой фазы и легированных Cu в процессе роста, исследовано влияние отклонения от стехиометрии, концентрации меди и кислорода на спектры катодолюминесценции. Результаты дополнены изучением микроструктуры и микросостава в растровом электронном микроскопе, измерениями электропроводности и расчетами равновесия собственных точечных дефектов. Показано, что трем типам Cu-центров всегда сопутствуют самоактивированные центры, включающие кислород в узле решетки OSe. Парные центры: SA(I)-Cu(I), SAL(II)-Cu(II) и III-Cu(III) типичны для всех соединений AIIBVI. Все наблюдаемые I-III медные центры - ассоциативные. Предложены модели центров свечения. Смена типа свечения I-III связана с перезарядкой одной и той же группы дефектов, включающей OSe, Zn(Cu) и VZn. Обнаружены новые эффекты в области полос I-III, связанные с глубокой очисткой материала.
- G.B. Stringfellow, R.H. Bube. Phys. Rev., 14 (3), 903 (1968)
- M. Godlewski, W.E. Lamb, B.C. Cavenett. Sol. St. Commun., 39, 595 (1981)
- В.И. Соколова, Т.П. Суркова, М.В. Чукичев, Ву Зоан Мьен. ФТТ, 26, 3681 (1984)
- E.D. Wheeler, Jack L. Boone, J.F. Farmer, H.R. Chandrasekhar. J. Phys. Chem. Sol., 58 (1), 79 (1997)
- V.D. Ryjikov, V. Havrushin, A. Klazlauskaz et al. J. Luminecs., 52 (1--4), 71 (1992)
- А.М. Гурвич. Автореф. докт. дис. (Тарту, 1970)
- Физика и химия соединений AII BVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
- Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло, С.В. Опря. ФТП, 32 (2), 171 (1998).!! vadjust !!
- Н.П. Голубева, М.В. Фок. ЖПС, 35, 551 (1981)
- Физика соединений AII BVI, под ред. А.Н. Георгобиани (М., Наука, 1986)
- Н.К. Морозова, И.А. Каретникова, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук, Э.В. Яшина, С.М. Мазовин. Матер. докл. XXX межд. научн.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2000) с. 204
- Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук. Неорг. матер., 35, 917 (1999)
- Л.Д. Назарова. Автореф. канд. дис. (М., 1995)
- Н.К. Морозова, Е.М. Гаврищук, О.Р, Голованова и др. ЖПС. 63, 731 (1996)
- И.А. Горн, В.Н. Мартынов, Е.С. Волкова, В.И. Гринев. ФТП, 24, 538 (1990)
- F.J. Bryant, P.S. Manning. J. Phys. C, 5, 1914 (1972)
- А.П. Оконечников. Автореф. докт. дис. (Екатеринбург, 1996)
- K.M. Lee, L.S. Dang, G.D. Watkins. Inst. Phys. Conf. Ser. (London, 1981) v. 59, p. 353. [Defects and irradiation effects in semiconductors]
- Г.Г. Девятых, Е.М. Гаврищук, Ю.А. Даданов. Высокочистые вещества, 2, 174 (1990)
- Н.К. Морозова, А.В. Морозов, И.А. Каретников и др. ФТП, 28, 1699 (1994)
- Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, В.Д. Рыжиков и др. Селенид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1992)
- В.С. Зимогорский, Н.К. Морозова, Н.А. Яштулов, В.В. Блинов. Матер. докл. XXX межд. научн.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2000) с. 211
- Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов и др. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987) с. 432
- Э.П. Польских. Автореф. канд. дис. (М., 1974)
- Л.П. Гальчинецкий, И.А. Каретников, В.Е. Мащенко и др. ЖПС, 58, 488 (1993)
- Ф.Н. Дмитриев, В.Д. Рыжиков, Л.П. Гальчинецкий. Термодинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений типа AIIBVI (Харьков, ВНИИ монокристаллов, 1990)
- Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов (Рига, Знание, 1979)
- Дж. Уоткинс. Дефекты решетки в соединениях AIIBVI (М., Мир, 1970) вып. 9, с. 221. [В кн.: Точечные дефекты в твердых телах. Сер. Новости физики твердого тела, под ред. Б.И. Болтакса]
- О.В. Вакуленко, В.Н. Кравченко, В.Д. Рыжиков, В.И. Силин, Н.Г. Старжинский. ФТП, 31, 1211 (1997)
- Н.К. Морозова, А.В. Морозов, В.Г. Галстян, И.А. Каретников, Л.Д. Назарова, И.И. Разуляев. Неорг. матер., 30, 731 (1994)
- А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков и др. ФТТ, 40, 1010 (1998)
- A. Gukasyan, A. Kvit, Y. Klevkov, S. Oktyabrsky. Sol. St. Commun., 97, 897 (1996).!! vadjust !!
- G.S. Iseler, A.J. Strauss. J. Luminecs., 3, 1(1970)
- A.V. Kvit, Yu. V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin. Semicond. Sci. Technol., 9, 1805 (1994)
- Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов и др. ЖПС, 67 (1), 96 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
