"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки
Бессолов В.Н.1, Жиляев Ю.В.1, Заварин Е.Е.1, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В.1, Усиков А.С.1, Федирко В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция использованы для изучения нанорельефа поверхности GaN (0001), обработанной в растворах сульфида натрия. Показано, что после сульфидной обработки мелкомасштабный рельеф поверхности слоя существенно сглаживается.
  1. M.S. Shur, M.A. Khan. In: Semiconductors and Semimetals (1999) v. 57, ch. 10, p. 407
  2. Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry, ed. by H. Katscher, B. Mohsin (Springer, Berlin, 1996) suppl. v. C2, p. 181
  3. M.S. Minsky, M. White, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 68, 1531 (1996)
  4. N.V. Edwards, M.D. Bremser, T.W. Weeks Jr., R.S. Kern, R.F. Davus, D.E. Aspnes. Appl. Phys. Lett., 69, 2065 (1996)
  5. J.L. Weyher, S. Muller, I. Grzegory, S. Porowski. J. Cryst. Growth, 182, 17 (1997)
  6. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  7. Yu.V. Zhilyaev, M.E. Kompan, E.V. Konenkova, S.D. Raevskii. MRS-NSR: Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.14 (1998)
  8. J.K. Kim, J.L. Lee, J.W. Lee, Y.J. Park, T. Kim. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (2), 497 (1999)
  9. J.S. Jang, S.-J. Park, I.Y. Seong. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (6), 2667 (1999)
  10. X.A. Cao, S.J. Pearton, G. Dang, A.P. Zhang, F. Ren, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75 (26), 4130 (1999)
  11. W.V. Lundin, A.S. Usikov, B.V. Pushnyi, U.I. Ushakov, M.V. Stepanov, N.M. Shmidt, A.V. Sakharov, Yu.M. Zadiranov, S.M. Suturin, V. Busov. Mater. Sci. Forum, 264, 1125 (1998)
  12. М.Е. Компан, И.Ю. Шабанов. ФТТ, 39 (7), 1030 (1997)
  13. S. Strie, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1237 (1992)
  14. N. Dyakonova, A. Dickons, M.S. Shur, R. Gaska, J.W. Yang. Appl. Phys. Lett., 72, 2562 (1998)
  15. Z.Z. Bandic, P.M. Bridger, E.C. Piquette, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3276 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.