"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности фотоэлектрических свойств изотипных и анизотипных гетеропереходов Si/GaN<O>
Александров C.Е.1, Гаврикова Т.А.1, Зыков В.А.1
1Cанкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Приводятся результаты комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств изотипных (p-Si/p-GaN<O>) и анизотипных (n-Si/p-GaN<O>) гетеропереходов, изготовленных химическим осаждением пленок твердых растворов GaN<O> на кремниевые подложки путем пиролитического разложения моноаммиаката хлорида галлия в присутствии паров воды. В токовом режиме при прямых и обратных смещениях проведены измерения интегральной и спектральной фоточувствительности, кинетики фотоответа; исследованы вольт-амперные характеристики, фотоэдс насыщения. Установлено, что в обоих типах гетеропереходов распределение зарядов в приконтактных областях определяется преимущественно захватом носителей на граничные состояния (плотность которых по оценке составляет ~ 1014-1015 см-2) с образованием обедненных слоев по обе стороны от границы раздела. Проанализированы механизмы формирования фоточувствительности в анизотипных и изотипных гетеропереходах. Показано, что дифференциальный вид кинетики фотоотклика связан с перезарядкой состояний на границе раздела компонентов. Сильный рост фотоотклика изотипного гетероперехода при приложении смещения связывается с фототранзисторным эффектом. Предложенные модели энергетических зон гетеропереходов непротиворечиво объясняют наблюдаемые эффекты.
  1. С.Е. Александров, Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков. ФТП, 34, 297 (2000)
  2. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)
  3. Л.Г. Бакуева, В.И. Ильин, С.Ф. Мусихин, О.В. Рабизо, А.Я. Шик. ФТП, 16, 1416 (1982)
  4. М.Г. Ермаков, В.И. Поляков, П.И. Петров, М.И. Елинсон. ФТП, 18, 115 (1984)
  5. S.C. Dehlberg, W. Orr. Surf. Sci., 67, 226 (1977)
  6. S.C. Dehlberg, J.R. Chelikowsky, W.Orr. Phys. Rev. B, 15, 3163 (1977)
  7. A.J. Steckl, H. Elabd, K.Y. Tam, S.P. Sheu, M.E. Motabedi. IEEE Trans. El. Dev., ED-27, 126 (1980)
  8. А.Я. Шик. ФТП, 16, 1411 (1982)
  9. S. Yawata, R.L. Anderson. Phys. St. Sol., 12, 297 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.