Вышедшие номера
Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs
Глинчук К.Д.1, Литовченко Н.М.1, Прохорович А.В.1, Стрильчук О.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Изучены изменения спектров краевой фотолюминесценции полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs, вызванные их термообработкой при 900oC в течение 20-90 мин. Показано, что термическое воздействие существенно видоизменяет (преобразует) экситонную часть спектра. Наблюдаемые изменения в спектрах объясняются изменениями в примесном составе изучаемых кристаллов, стимулированными термообработкой.