"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоэдс в биполярном полупроводнике при увлечении носителей тока фононами
Конин А.1, Рагуотис Р.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 27 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Получено выражение, описывающее термоэдс в полупроводниковом образце при малых отклонениях концентраций носителей заряда от равновесных и произвольной степени увлечения электронно-дырочных пар фононами. Показано, что при наличии термоувлечения величина термоэдс значительно изменяется в образце любых размеров. При определенных условиях может измениться также знак термоэдс.
  1. Yu.G. Gurevich, O.Yu. Titov, G.N. Logvinov, O.I. Lyubimov. Phys. Rev. B, 51, 6999 (1995)
  2. A.M. Konin, R. Raguotis. Semicond. Sci. Technol. (в печати, 2000)
  3. Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., Наука, 1984)
  4. А.М. Конин. ФТП, 31, 692 (1997)
  5. Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 7, 3 (1973)
  6. В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 17, 728 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.