"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Дальнее инфракрасное стимулированное и спонтанное излучение в одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe
Венгер Е.Ф.1, Гасан-заде С.Г.1, Стриха М.В.1, Старый С.В.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

В одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe (x=0.10/ 0.14) в условиях ударной ионизации электрическим полем обнаружено вынужденное излучение в диапазоне 80-100 мкм. Скачок излучения происходит при пороговых значениях упругой деформации и электрического напряжения и сопровождается скачком тока в образце. Получены также полевые и деформационные зависимости интенсивности спонтанного излучения. Предложен механизм наблюдаемого эффекта с учетом трансформации энергетических зон и примесных акцепторных уровней направленной упругой деформацией.
  1. А.А. Андронов. ФТП, 21, 1153 (1987)
  2. И.В. Алтухов, М.С. Каган, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 47, 136 (1988)
  3. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Однолюбов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115, 89 (1999)
  4. A.V. Germanenko, G.M. Minkov. Phys. St. Sol. (b), 184, 9 (1994)
  5. Е.В. Баханова, Ф.Т. Васько. ФТТ, 32, 86 (1990)
  6. Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский. Письма ЖЭТФ, 41, 100 (1985)
  7. А.В. Германенко, Г.М. Миньков, Е.Л. Румянцев, О.Э. Рут. ЖЭТФ, 94, 242 (1988)
  8. E.V. Bahanova, M.V. Strikha, F.T. Vasko. Phys. St. Sol. (b), 164, 157 (1991)
  9. Е.В. Баханова, Ф.Т. Васько. Письма ЖТФ, 13, 1520 (1987)
  10. Ф.Т. Васько, М.В. Стриха. ФТП, 24, 1227 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.