"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отражательная способность жидкой фазы в условиях лазерно-индуцированного плавления кремния
Ивлев Г.Д.1, Гацкевич Е.И.1
1Институт электроники Национальная академия наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 24 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Исследована динамика отражательной способности жидкой фазы кремния на длине волны 0.63 мкм в условиях моноимпульсного нагрева поверхности полупроводника ультрафиолетовым излучением ArF эксимерного лазера. Установленa зависимость коэффициента отражения в момент наибольшего нагрева поверхности от плотности энергии в лазерном импульсе. Показано, что температурное снижение отражательной способности расплава наиболее выражено при нагреве поверхности значительно выше равновесной точки кипения кремния. Возможный перегрев жидкой фазы вблизи энергетического порога абляции составляет около 1500 K.
  1. G.M. Gusakov, A.A. Komarnitskii, A.S. Em. Phys. St. Sol. (a), 107, 261 (1988)
  2. J. Boneberg, O. Yavas, B. Mierswa, P. Leiderer. Phys. St. Sol. (b), 174, 295 (1992)
  3. А.Р. Регель, В.М. Глазов. Физические свойства электронных расплавов (М., Наука, 1980)
  4. Г.Д. Ивлев, Е.И. Гацкевич. ФТП, 30, 2097 (1996)
  5. К.М. Шварев, Б.А. Баум, П.В. Гельд. ФТТ, 16, 3246 (1974)
  6. M.O. Lampert, J.M. Koebel, P. Siffert. J. Appl. Phys., 52, 4975 (1981)
  7. G. Ivlev, E. Gatskevich, V. Chab, J. Stuchlik, J. Kov cka. Appl. Phys. Lett., 75, 498 (1999)
  8. G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich. Appl. Surf. Sci., 143, 265 (1999)
  9. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.Б. Карбушян, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
  10. А.П. Пришивалко. Отражение света от поглощающих сред (Минск, Изд-во АН БССР, 1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.