"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD
Сошников И.П.1, Лундин В.В.1, Усиков А.С.1, Калмыкова И.П.1, Леденцов Н.Н.1, Rosenauer A.2, Neubauer B.2, Gerthsen D.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Laboratorium fur Elektronenmikroskopie, Universitat Karlsruhe, Germany
Поступила в редакцию: 29 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Проведено исследование методами просвечивающей электронной микроскопии гетероструктур с одним или несколькими слоями InxGa1-xN в матрице GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (MOCVD). Показано, что в гетероструктурах с толстыми слоями InGaN (~40 нм) наблюдается образование некогерентной системы слоистых доменов с характерными латеральными размерами порядка толщины слоя (~50 нм). В случае сверхтонких внедрений InGaN формируются нанодомены, когерентные с матрицей GaN. Определенное с помощью DALI-методики содержание In в островках достигает значений x~0.6 и более, что существенно выше, чем среднее содержание индия. Плотность образующихся нанодоменов в исследованных структурах составляет n~(2-5)·1011 см-2. В структурах со сверхтонкими внедрениями InGaN отмечено образование нанодоменов с двумя характерными размерами (3-6 и 8-15 нм).
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (J. Wiley, 1999)
  2. N.N. Ledentsov. Springer Tracts in Modern Physics, 156, 82, (Berlin, 1999)
  3. S. Nakamura, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 31, L1457 (1992)
  4. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 64, 13 (1994)
  5. H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, S. Sakai. Japan. J. Appl. Phys., 37, 2013 (1998)
  6. B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, O. Ambacher, M. Stutzmann. Appl. Phys. Lett., 73, 930 (1998)
  7. B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, O. Ambacher, M. Stutzmann, M. Albrecht, H.P. Strunk. Mater. Sci. Eng. B (2000) (to be published)
  8. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74, 3921 (1999)
  9. W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, M.V. Baidakova, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1999) p. 485
  10. V. Shchukin, D. Bimberg. Rev. Mod. Phys., 71, 1125 (1999)
  11. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, В.А. Семенов, А.С. Усиков, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, М.В. Байдакова. Письма ЖТФ, 25 (12), 1 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.