Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Laboratorium fur Elektronenmikroskopie, Universitat Karlsruhe, Germany
2Laboratorium fur Elektronenmikroskopie, Universitat Karlsruhe, Germany
Поступила в редакцию: 29 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
Проведено исследование методами просвечивающей электронной микроскопии гетероструктур с одним или несколькими слоями InxGa1-xN в матрице GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (MOCVD). Показано, что в гетероструктурах с толстыми слоями InGaN (~40 нм) наблюдается образование некогерентной системы слоистых доменов с характерными латеральными размерами порядка толщины слоя (~50 нм). В случае сверхтонких внедрений InGaN формируются нанодомены, когерентные с матрицей GaN. Определенное с помощью DALI-методики содержание In в островках достигает значений x~0.6 и более, что существенно выше, чем среднее содержание индия. Плотность образующихся нанодоменов в исследованных структурах составляет n~(2-5)·1011 см-2. В структурах со сверхтонкими внедрениями InGaN отмечено образование нанодоменов с двумя характерными размерами (3-6 и 8-15 нм).
- D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (J. Wiley, 1999)
- N.N. Ledentsov. Springer Tracts in Modern Physics, 156, 82, (Berlin, 1999)
- S. Nakamura, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 31, L1457 (1992)
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 64, 13 (1994)
- H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, S. Sakai. Japan. J. Appl. Phys., 37, 2013 (1998)
- B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, O. Ambacher, M. Stutzmann. Appl. Phys. Lett., 73, 930 (1998)
- B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, O. Ambacher, M. Stutzmann, M. Albrecht, H.P. Strunk. Mater. Sci. Eng. B (2000) (to be published)
- A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74, 3921 (1999)
- W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, M.V. Baidakova, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1999) p. 485
- V. Shchukin, D. Bimberg. Rev. Mod. Phys., 71, 1125 (1999)
- А.В. Сахаров, В.В. Лундин, В.А. Семенов, А.С. Усиков, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, М.В. Байдакова. Письма ЖТФ, 25 (12), 1 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
