Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности формирования внедрений In_xGa_1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD

Сошников И.П.¹, Лундин В.В.¹, Усиков А.С.¹, Калмыкова И.П.¹, Леденцов Н.Н.¹, Rosenauer A.², Neubauer B.², Gerthsen D.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Laboratorium fur Elektronenmikroskopie, Universitat Karlsruhe, Germany

Поступила в редакцию: 29 декабря 1999 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

PDF версия

Проведено исследование методами просвечивающей электронной микроскопии гетероструктур с одним или несколькими слоями In_xGa_1-xN в матрице GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (MOCVD). Показано, что в гетероструктурах с толстыми слоями InGaN (~40 нм) наблюдается образование некогерентной системы слоистых доменов с характерными латеральными размерами порядка толщины слоя (~50 нм). В случае сверхтонких внедрений InGaN формируются нанодомены, когерентные с матрицей GaN. Определенное с помощью DALI-методики содержание In в островках достигает значений x~0.6 и более, что существенно выше, чем среднее содержание индия. Плотность образующихся нанодоменов в исследованных структурах составляет n~(2-5)·10¹¹ см^-2. В структурах со сверхтонкими внедрениями InGaN отмечено образование нанодоменов с двумя характерными размерами (3-6 и 8-15 нм).

D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (J. Wiley, 1999)
N.N. Ledentsov. Springer Tracts in Modern Physics, 156, 82, (Berlin, 1999)
S. Nakamura, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 31, L1457 (1992)
S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 64, 13 (1994)
H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, S. Sakai. Japan. J. Appl. Phys., 37, 2013 (1998)
B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, O. Ambacher, M. Stutzmann. Appl. Phys. Lett., 73, 930 (1998)
B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, O. Ambacher, M. Stutzmann, M. Albrecht, H.P. Strunk. Mater. Sci. Eng. B (2000) (to be published)
A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74, 3921 (1999)
W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, M.V. Baidakova, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov. Proc. 7^th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1999) p. 485
V. Shchukin, D. Bimberg. Rev. Mod. Phys., 71, 1125 (1999)
А.В. Сахаров, В.В. Лундин, В.А. Семенов, А.С. Усиков, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, М.В. Байдакова. Письма ЖТФ, 25 (12), 1 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель