"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Внутреннее трение при изменении формы малых включений
Андреев Ю.Н.1, Даринский Б.М.1, Мошников В.А.2, Сайко Д.С.3, Ярославцев Н.П.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Произведена теоретическая оценка размеров микровключений второй фазы в твердотельной матрице, наличие которых характерно для полупроводниковых соединений AIIIBV, AIIBVI, AIVBVI и их производных. Получена рабочая формула, связывающая температурный сдвиг пика внутреннего трения, обусловленного изменением формы включений под действием знакопеременных упругих напряжений, с линейными размерами включений. Результаты подтверждаются данными по низкочастотному внутреннему трению в SnTe.
  1. Б.М. Даринский, Ю.И. Левин, В.С. Постников, С.К. Турков. Физика и химия обраб. материалов, N 6, 46 (1967)
  2. Б.М. Даринский, Ю.И. Левин, С.К. Турков. Физика и химия обраб. материалов, N 3, 51 (1968)
  3. Б.М. Даринский, Н.П. Ярославцев. Высокочистые вещества, N 3, 80 (1990)
  4. Ю.Н. Андреев, М.В. Бестаев, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, Н.П. Ярославцев. ФТП, 31 (7), 841 (1997)
  5. В.И. Митрохин, Н.П. Ярославцев, С.И. Рембеза, Г.С. Песоцкий, Н.В. Измайлов. А.с. 105/42 СССР G01N11/16 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.