"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Равновесное распределение мелкой примеси и потенциала в приповерхностной области полупроводника в модели полностью обедненного слоя
Гавриловец В.В.1, Бондаренко В.Б.1, Кудинов Ю.А.1, Кораблев В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

В модели полностью обедненного слоя получены аналитические зависимости равновесных распределений мелкой примеси, электрического поля и потенциала в приповерхностной области полупроводника. Результаты расчета были применены для оценки изменения параметров структуры конечного размера. Получено, что в данном приближении возможно уменьшение концентрации электрически активных дефектов в несколько раз для полупроводниковых слоев толщиной ~1 мкм.
  1. В.С. Кузнецов, В.Б. Сандомирский. Кинетика и катализ, 3, 724 (1962)
  2. W. Nuyts, R. Van Overstraeten. Phys. St. Sol. (a), 15, 329 (1973)
  3. R.Sh. Malkovich, V.A. Pokoeva. Phys. St. Sol. (a), 48, 329 (1978)
  4. R. Shrivastava, A.H. Marshak. Sol. St. Electron., 23, 73 (1980)
  5. O. Hildebrand. Phys. St. Sol. (a), 72, N 2, 575 (1982)
  6. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987) c. 157
  7. Дж.П. Старк. Диффузия в твердых телах (М., Энергия, 1980) с. 39
  8. П.В. Ковтуненко. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами (М., Высш. шк., 1993) с. 258
  9. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) с. 216

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.