"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К теории эффекта аномального фотонапряжения в многослойных структурах с p-n-переходами
Агарев В.Н.1, Степанова Н.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Рассмотрено стационарное и нестационарное фотонапряжение, возникающее в многослойной структуре с p-n-переходами при неоднородной засветке, для произвольного соотношения длины диффузионного смещения L и размеров p- и n-областей d. Показано, что при d<< L из-за взаимного влияния соседних p-n-переходов фотонапряжение существенно меньше (в d2/12L2 раз), чем при обратном смещении. Релаксация фотонапряжения определяется перезарядкой барьерных емкостей p-n-переходов и на несколько порядков превышает время жизни неравновесных носителей зарадя в p- и n-областях. Полученные результаты применимы к объяснению особенностей эффекта аномального фотонапряжения в поликристаллических пленках.
  1. Э.И. Адирович, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ФТП, 5(7), 1415 (1971)
  2. Э.И. Адирович. ФТП, 4(4), 745 (1970)
  3. Э.И. Адирович, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ДАН, 188, 1254 (1969)
  4. И.А. Карпович, М.В. Шилова. Изв. вузов. Физика, 4, 128 (1969)
  5. В.В. Осипов, А.Ю. Селяков, M. Foygel. ФТП, 32(2), 221 (1998)
  6. В.И. Стафеев. ФТП, 6, 2134 (1972)
  7. В.Н. Агарев, В.И. Стафеев. Радиотехника и электроника, 22(1), 169 (1977)
  8. В.Н. Агарев, В.И. Стафеев. Радиотехника и электроника, 22(11), 2335 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.