Диоды Шоттки на основе n-n⁺-эпитаксиальных слоев 6H-SiC, полученных методом сублимационной эпитаксии, а также слоев, коммерчески выпускаемых компанией CREE (США), использовались для регистрации alpha-частиц естественного распада. Поскольку толщина n-пленок была меньше пробега частиц, геометрия опыта отличалась от традиционной с полным торможением частицы в области электрического поля детектора. Путем сопоставления расчетных и экспериментальных данных изучались особенности переноса неравновесного заряда в режимах полного и частичного обеднения структуры. Показано, как из анализа поведения амплитуды сигнала и формы амплитудного спектра в зависимости от смещения на диоде Шоттки можно извлечь значения характеристик материала, определяющих перенос носителей. Из результатов следует, что получаемые в настоящее время сублимационные слои SiC пригодны для создания на их основе детекторов ядерных частиц.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.