Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние gamma-облучения на кинетику фотолюминесценции пористого кремния

Агекян В.Ф.¹, Емцев В.В.², Лебедев А.А.², Полоскин Д.С.², Ременюк А.Д.², Степанов Ю.А.¹

¹Институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

PDF версия

Исследовано влияние gamma-облучения на релаксацию фотолюминесценции пористого кремния в микросекундном диапазоне. Увеличение интенсивности фотолюминесценции при облучении сопровождается уменьшением времени затухания, что свидетельствует о снижении высоты барьеров при туннелировании пространственно разделенных носителей. Облучение приводит к более резкой дисперсии времени затухания.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
G. Maiello, S.L. Monica, A. Ferrari, G. Masini, V.P. Bondarenko, A.M. Dorofeev, N.M. Kzuchits. Thin Sol. Films, 297, 296 (1997)
L. Charrier, T.L. Gorju, L. Haji, M. Guendouz. In: Porous Semiconductors. Science and Technology (Int. Conf., Majorka, 1998) abstr., P1-05
M.J. Berger, R. Arens-Fischer, M. Thonissen, M. Kruger, S. Billat, H. Luth, S. Hibrich, W. Theib, P. Grosse. Thin. Sol. Films, 297, 237 (1997)
S. Frohnhoff, M.G. Berger. Ad. Mater., 6, 963 (1994)
L. Schirone, G. Sotigiu, F.P. Califano. Thin. Sol. Films, 297, 296 (1997)
Е.В. Астрова, Р.Ф. Витман, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 507 (1996)
E.V. Astrova, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, D.S. Poloskin, A.D. Remenyuk, Yu.V. Rud', R.F. Vitman. MRS Fall Meeting Proc., 405, 185 (1996)
А.М. Иванов, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 188 (1996)
М.С. Бреслер, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27, 871 (1993)
Y. Kanemitsu, S. Okamoto, M. Otobe, S. Oda. Phys. Rev. B, 55, R7375 (1997)
Y. Kanemitsu. Phys. Rev. B, 48, 12 357 (1993)
Л.Л. Федоренко, А.Д. Сердарлы, Э.Б. Каганович, С.В. Свечников, С.П. Дикий, С.В. Баранец. ФТП, 31, 6 (1997)
Y.H. Xie, W.L. Wilson, F.M. Ross, J.A. Mucha, E.A. Fitzgerald, J.M. Macaulay, T.D. Harris. J. Appl. Phys., 71, 2403 (1992)
L. Pavesi. J. Appl. Phys., 80, 216 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель