"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Донорно-акцепторная фотолюминесценция слабо компенсированного GaN : Mg
Некрасов В.Ю.1, Беляков Л.В.1, Сресели О.М.1, Зиновьев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Представлен анализ время-разрешенных спектров фотолюминесценции легированных магнием слоев нитрида галлия, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках из GaAs и сапфира. Обнаружены новые характерные особенности примеси Mg и ее взаимодействия с собственными дефектами, проявляющиеся благодаря механизму донорно-акцепторной рекомбинации. Теоретически рассмотрены оптические переходы донор-акцептор в легированном слабо компенсированном широкозонном полупроводнике в предположении неслучайного распределения примесей. Количественный анализ спектров донорно-акцепторной фотолюминесценции, выполненный для различных образцов эпитаксиальных слоев GaN : Mg, обнаружил в распределении доноров и акцепторов обеднение на близких расстояниях и(или) наличие преимущественного расстояния между примесями (сингулярности) в зависимости от условий роста слоев. Из сравнения расчетных и экспериментальных зависимостей время-разрешенной фотолюминесценции определены: форма межпримесной функции распределения, концентрация легирующей примеси, энергии связи акцепторов (атомов Mg) и активных доноров.
  1. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. J. Electrochem. Soc., 137, 1639 (1990); I. Akasaki, H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu. J. Luminescence, 48\&49, 666 (1991)
  2. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, I. Akasaki. J. Cryst. Growth, 145, 192 (1994)
  3. M. Ilegems, R. Dingle. J. Appl. Phys., 44, 4234 (1973); R. Dingle, M. Ilegems. Solid State Commun., 9, 175 (1973)
  4. D.G. Thomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak. Phys. Rev., 140, 202 (1965); C.H. Henry, R.A. Faulkner, K. Nassau. Phys. Rev., 183, 798 (1969); P.J. Dean. Progress in Solid State Chemistry, ed. by J.O. McCaldin and G. Somorjai (Oxford, Pergamon Press, 1973), v. 8, p. 1
  5. F. Williams. Phys. St. Sol., 25, 493 (1968)
  6. T.S. Cheng, C.T. Foxon, N.J. Jetts, D.J. Dewsnip, L. Flannery, J.W. Orton, S.V. Novikov, B.Ya. Ber, Yu.A. Kudriavtsev. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 2, article 13 (1997)
  7. W. Gotz, N.M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68, 3144 (1996)
  8. W. Gotz, N.M. Johnson, J. Walker, D.P. Bour, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 67, 2666 (1995)
  9. W. Gotz, N.M. Johnson, D.P. Bour. Appl. Phys. Lett., 68, 3470 (1996)
  10. P. Hacke, H. Nakayama, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Appl. Phys. Lett., 68, 1362 (1996)
  11. M. Smith, G.D. Chen, J.Y. Lin, H.X. Jiang, A. Salvador, B.N. Sverdlov, A. Botchkarev, H.M. Morko c, B. Goldenberg. Appl. Phys. Lett., 68, 1883 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.