"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе зародышей для образования термодоноров в кремнии (или еще один вариант ускоренной диффузии кислорода)
Неймаш В.Б.1, Пузенко Е.А.1, Кабалдин А.Н.1, Крайчинский А.Н.1, Красько Н.Н.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Методом 4-зондовых измерений удельного электросопротивления исследовано влияние предварительной термообработки при 800oC (ПТО-800) на кинетику накопления и отжига термодоноров, образующихся при 450oC в монокристаллах кремния. Обнаружено существенное увеличение энергий активации генерации и отжига термодоноров после ПТО-800. Экспериментальные результаты обсуждены с учетом роли различных фазовых состояний кислорода в исходном Si. Предложена интерпретация, учитывающая влияние внутренних упругих напряжений решетки Si, созданных микроскопическими флуктуациями концентрации кислорода и термодоноров, на коэффициент диффузии атомов кислорода. Количественная оценка размеров микроскопических флуктуаций дает величину порядка сотен ангстремов. Кинетика генерации и отжига термодоноров описывается в рамках модели Кайзера-Фриша-Рейса с учетом локально ускоренной (в областях микроскопических флуктуаций) диффузии кислорода. В микроскопических флуктуациях находится порядка 1-3% общего числа атомов кислорода в кристалле. Это затрудняет наблюдение ускоренной диффузии кислорода прямыми методами, однако достаточно для генерации термодоноров.
  1. C.S. Fuller, J.A. Ditzenberg, N.B. Hannay, E. Buehler. Phys. Rev., 96(3), 833 (1954)
  2. В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Наук. думка, 1997)
  3. L.I. Murin, V.P. Markevich. Proc. Int. Conf. on Science and Technology of Defect Control in Semiconductors, Yokohama, Japan, 1989, ed. by K. Sumino (North-Holland, Amsterdam, 1990) p. 190
  4. W. Kaizer, H. Frisch, H. Reiss. Phys. Rev., 112(2), 1546 (1958)
  5. О.М. Кабалдiн, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, В.I. Шаховцов, В.С. Штим. УФЖ, 40(3), 218 (1995)
  6. А.Н. Кабалдин, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, В.И. Шаховцов, А.В. Батунина, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, В.П. Калинушкин. УФЖ, 38(1), 34--39 (1993)
  7. О.М. Кабалдiн, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, Л.I. Шпiнар. УФЖ, 40(10), 1079 (1995)
  8. Н.Т. Баграев, Н.А. Витовский, Л.С. Власенко, Е.В. Машовец, О. Рахимов. ФТП, 17(11), 1979 (1983)
  9. Д.И. Бринкевич, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, В.В. Петров. ФТП, 26(4), 682 (1992)
  10. V.P. Markevich, L.I. Murin. Phys. St. Sol (a), 111(2), K149 (1989)
  11. Ю.М. Бабицкий, П.М. Гринштейн, М.А. Ильин, В.П. Кузнецов. ФТП, 18(7), 1280 (1984)
  12. Л.А. Казакевич, П.Ф. Луганов. Электрон техн., сер. Материалы, N 9, 170 (1982)
  13. G.D. Watkins, J.W. Corbett, R.S. McDonald. J. Appl. Phys., 53(10), (1982)
  14. Л.И. Мурин, В.П. Маркевич. ФТП, 22(7), 1324 (1988)
  15. R.C. Newman, M.J. Binns, F.M. Livingston, S. Messoloras. Physica B, 116(1--3), 264 (1983)
  16. Y. Takano, M. Maki. In: Semiconductor silicon 1973, ed. by H.R. Huff and R.R. Burgess (Elecrochemical Society, Pennington, 1973) p. 469
  17. J.C. Mikkelsen, Jr. Appl. Phys. Lett., 40(4), 336 (1982)
  18. M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett., 42(1), 73 (1983).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.