"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поведение примеси марганца в Hg3In2Te6
Грушка О.Г.1, Грушка З.М.1, Фрасуняк В.М.1, Герасименко В.С.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 10 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Исследовано поведение примеси марганца в соединении Hg3In2Te6. В легированных кристаллах концентрация носителей заряда остается значительно меньше содержания примеси. Введение марганца в Hg3In2Te6 не изменяет положения уровня Ферми, который расположен вблизи середины запрещенной зоны материала. Электропроводность остается собственной вплоть до температуры 150 K. Показано, что марганец в решетке Hg3In2Te6 находится в зарядовом состоянии Mn2+ (3d5) и не приводит к появлению новых химических связей в матрице, при этом влияет на структуру ближнего порядка. При NMn<9.2· 1019 cm-3 Hg3In2Te6 обладает более высокими значениями подвижностей носителей заряда, чем в нелегированном материале.
  1. G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Advanced Mater., 4 (1), 36 (1997)
  2. B.M. Кошкин, Л.В. Атрощенко. ФТП, 9, 3120 (1967)
  3. И.А. Драпкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15, 625 (1981)
  4. Ф.С. Насрединов, В.И. Подхалюзин, И.П. Серегин, Х.У. Чирнер, Р. Ренч, Т. Борн. ФТП, 20, 1166 (1986)
  5. Д.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, Л.Н. Курбатов. ФТП, 13, 961 (1979)
  6. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, под ред. В.И. Фистуля (М., Металлургия, 1987)
  7. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  8. Д.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменок, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, В.Л. Хейфец. Неорг. матер., 16, 1534 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.