Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Неупругое рассеяние горячих электронов на нейтральных донорах в квантовых ямах GaAs / AlAs, сильно легированных кремнием

Акимов И.А.¹, Сапега В.Ф.¹, Мирлин Д.Н.¹, Захарченя Б.П.¹, Сиренко А.А.², Устинов В.М.¹, Жуков А.Е.¹, Егоров А.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Department of Physics, the Pennsylvania State University, University Park, PA, USA

Поступила в редакцию: 17 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены процессы энергетической и импульсной релаксации горячих электронов в квантовых ямах GaAs / AlAs n-типа. В структурах с высоким уровнем легирования кремнием наблюдалась горячая фотолюминесценция, обусловленная рекомбинацией горячих электронов с дырками, связанными на Si-акцепторах. Используя метод магнитной деполяризации горячей фотолюминесценции, мы обнаружили, что вероятность рассеяния горячих электронов существенно уменьшается при увеличении температуры в интервале 4/ 80 K. Показано, что данный эффект связан с ионизацией доноров. Установлено, что вероятность неупругого рассеяния на нейтральных донорах в несколько раз превышает вероятность квазиупругого электрон-электронного рассеяния.

Б.П. Захарченя, Д.Н. Мирлин, В.И. Перель, И.И. Решина. УФН, 136, 459 (1982); D.N. Mirlin, I.Ya. Karlik, L.P. Nikitin, I.I. Reshina, V.F. Sapega. Sol. St. Commun., 37, 757 (1981)
Д.Н. Мирлин, Б.П. Захарченя, И.И. Решина, А.В. Родина, В.Ф. Сапега, А.А. Сиренко, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров. ФТП, 30, 699 (1996)
I.I. Reshina, D.N. Mirlin, V.I. Perel, A.Yu. Dobin, A.G. Agranov, B.Ya. Ber. Sol. St. Commun., 103, 151 (1997)
C.L. Peterson, S.A. Lyon. Phys. Rev. Lett., 65, 760 (1990)
Y.G. Chai, R.Chow, C.E.C. Wood. Appl. Phys. Lett., 39, 800 (1981)
C. Malhiot, Yia-Chung Chang, T.C. McGill. Phys. Rev. B, 26, 4449 (1982)
J.A. Kash. Phys. Rev. B, 48, 18 336 (1993)
J.F. Young, P.J. Kelly. Phys. Rev. B, 47, 6316 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель