Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероструктуры GaInAsSb/GaSb, выращенные в области спинодального распада методом жидкофазной эпитаксии из растворов--расплавов, обогащенных Sb

Васильев В.И.¹, Ахмедов Д.¹, Дерягин А.Г.¹, Кучинский В.И.¹, Никитина И.П.¹, Смирнов В.М.¹, Третьяков Д.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Близкие к изопериодическим одиночные гетероструктуры Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y/GaSb, в которых составы твердых растворов должны находиться внутри области спинодального распада (x=<0.4), были выращены методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов, обогащенных Sb. На основе результатов исследования структурных и люминесцентных свойств гетероструктур Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y/GaSb были определены основные условия, обеспечивающие воспроизводимый рост эпитаксиальных слоев однородных по составу твердых растворов в области, где теоретически было предсказано существование процессов спинодального и бинодального распада. Показано, что величина и знак деформации, испытываемой слоем в процессе роста, а также толщина слоя являются основными факторами, которые влияют на свойства растущих твердых растворов GaInAsSb в зоне спинодального распада.

А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖФХ, 66, 923 (1992)
E. Tournie, J.-L. Lazzari, F. Pitard, C. Alibert, A. Joulie, B. Lambert. J. Appl. Phys., 68, 5936 (1990)
A.G. Deryagin, N.N. Faleev, V.M. Smirnov, G.S. Sokolovskii, V.I. Vasil'ev. IEE Proceeding, Optoelectronics. 144, 438 (1997)
В.И. Васильев, В.В. Кузнецов, В.А. Мишурный. Изв. АН СССР, сер. Неорг. матер., 26, 23 (1990)
V.I. Vasil'ev, V.V. Kuznetsov, V.A. Mishurnyi, V.V. Sazonov, N.N. Faleev. Proc. 1st Int. Conf. on Epitax. Growth (Budapest, 1990) p. 659
В.И. Васильев, Ф.Г. Дерягин, В.И. Кучинский, В.М. Смирнов, Г.С. Соколовский, Д.Н. Третьяков, Н.Н. Фалеев. Письма ЖТФ, 24(6), 58 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель