Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 7 » Статья стр. 880
<<<>>>
Создание методом твердофазного прямого сращивания отдельных p-n-переходов, разделенных изолирующим слоем
Гук Е.Г.1, Подласкин Б.Г.1, Токранова Н.А.1, Воронков В.Б.1, Козлов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
PDF версия
Разработаны три варианта технологического цикла изготовления отдельных p-n-переходов, разделенных изолирующим слоем, базирующиеся на использовании твердофазного прямого сращивания. Исследованы прямая и обратная ветви вольт-амперной характеристики сформированных диодов. Для всех технологических вариантов дифференциальное сопротивление прямой ветви отдельных p-n-переходов составляет ~0.01 Ом, напряжение пробоя ~400 В, ширина области апертуры для встречно включенных диодов составляет 0.22 В. Все эти данные, а также высокая интегральная фоточувствительность диодов свидетельствуют об отсутствии окисного барьера между p- и n-областями и о высоком качестве границы, полученной в результате сращивания.
  1. J.B. Lasky. Appl. Phys. Lett., 48, 78 (1986)
  2. M. Shimbo, K. Furukawa, K. Fukuda, K. Tanzava. J. Appl. Phys., 50, 2987 (1986)
  3. S. Bengtsson. J. Electron. Mater., 21, 841 (1992)
  4. H. Gotoi. J. de Phys., 49, 4 (1988)
  5. B. Mazhari, S. Cristoloveanu, D.E. Ioannou, A.L. Caviglia. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-38, 1289 (1991)
  6. K. Watanabe, T. Hashimoto, M. Yoshida, M. Usami, Y. Sakai, T. Ikeda. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Fall Mtg. (1991) 91-2, p. 774
  7. A.L. Caviglia, R.C. Potter, L.J. West. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-12, 26 (1991)
  8. R. Wilson, H.S. Gamble, S.J.N. Mitchell. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Fall Mtg. (1991) 91-2, p. 742
  9. В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, В.А. Козлов. Письма ЖТФ, 16, 6 (1990)
  10. I. Rhee, F.M. Casparini, A. Petrou, D.J. Bishiop. Rev. Sci. Instrum., 61, 1528 (1990)
  11. K. Tsuruta, M. Katada, S. Fujino, T. Hattori. IEICE Trans. Electron. (1992) E75-C, p. 1459
  12. Н.А. Брюхно, Е.М. Жарковский, Ю.А. Концевой, Ю.Г. Сахаров. Обзоры по электрон. техн. Сер. 3. Микроэлектроника, 4 (1987)
  13. К.Ф. Берковская, Н.В. Кириллова, Б.Г. Подласкин, В.М. Столовицкий, Н.А. Токранова. В сб.: Научно-технические достижения (М., ВИМИ, 1992) вып. 2, с. 22
  14. I.V. Grekhov, V.A. Kozlov, V.M. Volle, V.B. Voronkov. Best of Soviet Semicond. Phys. and Technol. 1989--1990, ed. by M. Levinstein and M. Shur (World Scientific, 1995) p. 597
  15. К. Сангвал. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение (М., Мир, 1990) гл. 11, с. 426
  16. G.I. Kuhn, C.J. Rhee. J. Electrochem. Soc., 120, 1563 (1973)
  17. Е.Г. Гук, А.В. Ельцов, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. Фоторезисты --- диффузанты в полупроводниковой технологии (Л., Наука, 1984) с. 76
  18. В.Б. Воронков, Е.Г. Гук, В.А. Козлов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 24, 1 (1998)
  19. V.A. Kozlov, V.K. Eremin, I.L. Shulpina, V.B. Voronkov, A.M. Ivanov, V.V. Eliseyev, V.V. Chibirkin. In: High Purity Silicon IV, ed. by C.L. Claeys, P.Rai-Choudhury, P. Stallhofer, J.E. Maurits [ The Electrochem. Soc. Ser. (Pennington, 1996) v. PV 96-13, p. 369]
  20. R.D. Black, S.D. Arthur, R.S. Gilmore et al. J. Appl. Phys., 63, 2773 (1988)
  21. Б.Г. Подласкин, Е.П. Романова, В.С. Юферев. ЖТФ, 62, 126 (1992)
  22. В.Ф. Золотарев. Безвакуумные аналоги телевизионных трубок (М., Энергия, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme