Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнение температурных зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования p-n-структур и диодов Шоттки на основе GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Проведено сравнение температурных зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования p-n- и m-s-структур на основе GaAs. В области энергий фотонов порядка ширины запрещенной зоны температурные зависимости p-n- и m-s-структур подобны. В области энергий фотонов, больших ширины запрещенной зоны, квантовая эффективность p-n-структур от температуры не зависит, в то время как квантовая эффективность m-s-структур проявляет сильную температурную зависимость. Дано качественное объяснение этому явлению.
- V.M. Andreev, V.V. Komin, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, M.Z. Shvarts. Proc. 1 st World Conf. on Photovoltaic Energy Conversation (Hawaii, 1994) p. 1824
- Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov, E.A. Posse, B.V. Tsarenkov. Sensors and Actuators, A58, 121 (1997)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 31, 563 (1997)
- Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov, O.I. Obolensky, T.V. Petelina, E.A. Posse. J. Phys.: Condens. Matter., 10 (2) (1999)
- M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov. Proc. 5th European Space Power Conf. (ESASP-416) (Tarragona, 1998) p. 513
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
