Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Коллективные резонансы и форм-фактор однородного уширения спектров излучения квантово-размерных полупроводниковых гетероструктур
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
На базе простейших выражений теории сверхизлучения двухуровневых систем получено аналитическое выражение для форм-фактора однородного уширения спектра излучения лазерных полупроводниковых гетероструктур. Достигнуто хорошее согласие теории с экспериментальными данными для InGaAS/GaAs-лазерной гетероструктуры на квантовой яме. Дана оценка длительности импульса сверхизлучения.
- П.Г. Елисеев, И.В. Акимова. ФТП, 32, 478 (1998)
- П.Г. Елисеев Введение в физику инжекционных лазеров (М., Наука, 1983)
- D.G. Deppe. Phys. Rev. A, 54, 2506 (1996)
- A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, V.V. Kocharovsky. Quant. Semiclass. Opt., 10, L13 (1998)
- S.V. Zaitsev, А.М. Georgievsky. Proc. Int. Conf. QDS'96, JJAP, part 1, 36, 4209 (1997)
- L. Allen, J.H. Eberly. Optical resonance and two-level atoms (Wiley, N.Y.--London--Sydney--Toronto, 1975)
- R.H. Dicke. Phys. Rev., 93, 99 (1954)
- П.Г. Елисеев, И.В. Акимова. ФТП, 32, 472 (1998)
- Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, 21, 824 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
