Erbium doped silicon epilayers grown by liquid phase epitaxy
Binetti S.1, Pizzini S.1, Cavallini A.2, Fraboni B.2
1INFM and Department of Materials Science, Via Cozzi 53, I-- Milano
2INFM and Department of Physics, Via Berti Pichat 6/2 I-- Bologna
Поступила в редакцию: 12 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
A careful analysis of the features of the spectroscopic properties of Er-doped and undoped epitaxial silicon films grown by liquid phase epitaxy at 950oC in silicon saturated indium melts shows that threading dislocations work as effective gettering sites for Er and oxygen. This last impurity is incorporated in the epitaxial film by back diffusion from the Czochralski substrate during the growth. The photoluminescence emitted by these films appeares to be related to dislocation and is enforced by the presence of erbium-oxygen complexes.
- S. Binetti, M. Donghi, S. Pizzini, A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, N.A. Sobolev. Sol. St. Phenomena, 57--58, 197 (1997)
- S. Pizzini, M. Donghi, S. Binetti, G. Wagner, M. Bersani. J. Electrochem. Soc. 145, 8 (1998)
- S. Pizzini, M. Donghi, S. Binetti, I. Gelmi, A. Cavallini, B. Fraboni, G. Wagner. Sol. St. Phenomena, 54, 86 (1997)
- A. Castaldini, A. Cavallini, B. Graboni, S. Binetti, M. Donghi, S. Pizzini, G. Wagner. Inst. Phys. Conf. Ser. 160, 297 (1997)
- V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 520 (1995)
- A. Cavallini, B. Fraboni, S. Pizzini, S. Binetti, S. Sanguinetti, I. Lazzarini, G. Salviati. J. Appl. Phys. (in press)
- S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук