Вышедшие номера
Люкс-амперные характеристики кристаллов CdHgTe c фотоактивными включениями
Власенко А.И.1, Власенко З.К.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Исследованы люкс-амперные характеристики кристаллов CdHgTe с фотоактивными включениями. Показано, что специфика люкс-амперных характеристик в таких кристаллах, в том числе наблюдаемые в эксперименте участки суперлинейности, может определяться переключением доминирующих каналов рекомбинации, снятием рекомбинационных барьеров, а также уменьшением эффективных геометрических размеров включений, связанных с уменьшением длины диффузионного смещения при уменьшении времени жизни неравновесных носителей. Приводятся экспериментальные данные и расчеты на основе модели рекомбинационных потоков по различным каналам.