Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фото- и электролюминесценция вблизи 1.3 мкм структур с квантовыми точками на подложках GaAs

Жуков А.Е.¹, Ковш А.Р.¹, Егоров А.Ю.¹, Малеев Н.А.¹, Устинов В.М.¹, Воловик Б.В.¹, Максимов М.В.¹, Цацульников А.Ф.¹, Леденцов Н.Н.¹, Шерняков Ю.М.¹, Лунев А.В.¹, Мусихин Ю.Г.¹, Берт Н.А.¹, Копьев П.С.¹, Алферов Ж.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 июля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен и реализован метод, позволяющий значительно увеличить длину волны излучения в структурах, выращенных на подложках GaAs, с помощью помещения массива напряженных квантовых точек InAs во внешнюю квантовую яму InGaAs. Исследована зависимость положения линии люминесценции от конструкции активной области и cравниваются спектры фото- и электролюминесценции в области длин волн вблизи 1.3 мкм при комнатной температуре.

M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa. Japan. J. Appl. Phys., 35, 1273 (1996)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ж.И. Алферов, Д.Л. Федоров, Д. Бимберг. ФТП, 30, 1345 (1996)
Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 31, 483 (1997).
R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, K. Nishi, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 67, 3795 (1995)
D.I. Lubyshev, P.P. Gonzalez-Borrero, E. Marega, Jr., E. Petitprez, N. La Scala, Jr., P. Basmaji. Appl. Phys. Lett., 68, 205 (1996)
A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Japan. J. Appl. Phys., 36, 4216(1997)
K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, S. Yamazaki. Japan. J. Appl. Phys. Lett., 33, L1710 (1994).
А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 31, 105 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель