Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проявление varepsilon₂-проводимости в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников

Агринская Н.В.¹, Козуб В.И.¹, Полянская Т.А.¹, Саидов А.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 16 сентября 1998 г.

Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

PDF версия

Экспериментальные исследования сопротивления Ge : Sb со степенью компенсации K<0.1 в области varepsilon₂-проводимости при гелиевых температурах показали, что она носит прыжковый характер с активацией в верхнюю хаббардовскую D^--зону. Наблюдаемое экспериментально положительное, экспоненциальное по магнитному полю магнитосопротивление определяется изменением заселенности электронами спиновых подзон. Обсуждаются особенности проявления данного механизма в многодолинных материалах, связанные с анизотропией g-фактора для отдельных долин.

N.F. Mott, G.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford, 1979)
E.M. Gershenson, A.P. Mel'nikov, R.I. Rabinovich. In: Electron-electron interactions in disordered systems, ed. by A.L. Efros and M. Pollak (North-Holland, Amsterdam, 1985) p. 483
H. Nishimura. Phys. Rev. A, 138, 815 (1965)
M.L. Knotek. Phys. Rev. B, 16, 2629 (1977)
А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, И.П. Звягин, С.В. Егоров. ФТП, 31, 1174 (1997)
A. Kurobe, H. Kamimura. J. Phys. Soc. Japan., 51, 1904 (1982)
Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Р. Ренч, М. Ли, П. Фозони. ЖЭТФ, 111, 1477 (1997)
N.V. Agrinskaya, V.I. Kozub. Sol. St. Commun., 108, 355 (1998)
C. Yamanouchi. J. Phys. Soc. Japan., 18, 1775 (1963)
A.L. Efros, B.I. Shklovskii. Electronic properties of doped semiconductors (Springer Verlag, 1984)
J.A. Chroboczek, E.W. Prohovsky, R.J. Sladek. Phys. Rev., 169, 593 (1968)
А.Г. Самойлович, И.В. Даховский, Д.И. Левинзон, Ю.И. Стерликов, В.А. Шершель. ФТП, 1, 1007 (1967)
K. Sugiyama. J. Phys. Soc. Japan., 22, 109 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель