Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Андреев А.Ю.¹, Андреев Б.А.¹, Дроздов М.Н.¹, Кузнецов В.П.², Красильник З.Ф.¹, Карпов Ю.А.³, Рубцова Р.А.², Степихова М.В.¹, Ускова Е.А.², Шмагин В.Б.¹, Ellmer H.⁴, Palmetshofer L.⁴, Piplits K.⁵, Hutter H.⁵

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт, Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия
³Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
⁴Institute for Experimental Physics, University of Linz, Linz, Austria
⁵Institute for Analytical Chemistry, Technical University of Vienna, Vienna, Austria

Поступила в редакцию: 8 июля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические, оптические и структурные свойства слоев Si : Er, полученных в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Содержание Er и O в выращенных при 400/600^oC слоях составляло до 5·10¹⁸ и 4·10¹⁹ см^-3 соответственно. Концентрация электронов при 300 K составляла ~10% от полной концентрации эрбия, их подвижность до 550 см²/В·с. На всех структурах наблюдалась интенсивная фотолюминесценция на длине волны 1.537 мкм до 100/ 140 K. Структура оптически активных центров, связанных с Er, зависела от условий роста слоев.

Y.-H. Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys., 70, 3223 (1991)
J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Ntzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
R. Serna, Jung H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 79, 2658 (1996)
W.-X. Ni, K.B. Joelsson, C.-X. Du, I.A. Buyanova, G. Pozina, W.M. Chen, G.V. Hansson, B. Monemar, J. Gardenas, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett., 70, 3383 (1997)
V.P. Kuznetsov, A.Yu. Andreev, O.A. Kyznetsov, L.E. Nikolaeva, T.M. Zotova, N.V. Gudkova. Phys. St. Sol. (a), 127, 371 (1991)
В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина. Электронная промышленность, 9, 57 (1990).
N.G. Kalugin, V.P. Kuznetsov, A.Yu. Andreev, M.V. Stepikhova, R.A. Rubtsova, Z.F. Krasil'nik. Proc. Int. Simposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, 1997) p. 310.
Т.Н. Сергиевская, В.П. Кузнецов, В.Г. Васильев, В.А. Толомасов. Электрон. техн. Материалы, вып. 10, 58 (1980).
D.E. Wortman, C.A. Morrison, J.L. Bradshaw. J. Appl. Phys., 82, 2580 (1997)
H. Ellmer, W. Fischer, A. Klose, D. Semrad. Rev. Sci. Instrum., 67, 1794 (1996)
L. Palmetshofer, Yu. Suprun-Belevich, M. Stepikhova. Nucl. Instrum. Meth. B, 127/128, 479 (1997)
H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson. B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
S. Coffa, G.Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16 313 (1994)
H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Houghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chan. Semicond. Sci. Technol., 8, 236 (1993)
J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, Y.-H. Xie, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Poate. J. Appl. Phys., 70, 2667 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель