Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт, Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
4Institute for Experimental Physics, University of Linz, Linz, Austria
5Institute for Analytical Chemistry, Technical University of Vienna, Vienna, Austria
2Научно-исследовательский физико-технический институт, Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
4Institute for Experimental Physics, University of Linz, Linz, Austria
5Institute for Analytical Chemistry, Technical University of Vienna, Vienna, Austria
Поступила в редакцию: 8 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.
Исследованы электрические, оптические и структурные свойства слоев Si : Er, полученных в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Содержание Er и O в выращенных при 400/600oC слоях составляло до 5·1018 и 4·1019 см-3 соответственно. Концентрация электронов при 300 K составляла ~10% от полной концентрации эрбия, их подвижность до 550 см2/В·с. На всех структурах наблюдалась интенсивная фотолюминесценция на длине волны 1.537 мкм до 100/ 140 K. Структура оптически активных центров, связанных с Er, зависела от условий роста слоев.
- Y.-H. Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys., 70, 3223 (1991)
- J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Ntzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
- R. Serna, Jung H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 79, 2658 (1996)
- W.-X. Ni, K.B. Joelsson, C.-X. Du, I.A. Buyanova, G. Pozina, W.M. Chen, G.V. Hansson, B. Monemar, J. Gardenas, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett., 70, 3383 (1997)
- V.P. Kuznetsov, A.Yu. Andreev, O.A. Kyznetsov, L.E. Nikolaeva, T.M. Zotova, N.V. Gudkova. Phys. St. Sol. (a), 127, 371 (1991)
- В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина. Электронная промышленность, 9, 57 (1990).
- N.G. Kalugin, V.P. Kuznetsov, A.Yu. Andreev, M.V. Stepikhova, R.A. Rubtsova, Z.F. Krasil'nik. Proc. Int. Simposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, 1997) p. 310.
- Т.Н. Сергиевская, В.П. Кузнецов, В.Г. Васильев, В.А. Толомасов. Электрон. техн. Материалы, вып. 10, 58 (1980).
- D.E. Wortman, C.A. Morrison, J.L. Bradshaw. J. Appl. Phys., 82, 2580 (1997)
- H. Ellmer, W. Fischer, A. Klose, D. Semrad. Rev. Sci. Instrum., 67, 1794 (1996)
- L. Palmetshofer, Yu. Suprun-Belevich, M. Stepikhova. Nucl. Instrum. Meth. B, 127/128, 479 (1997)
- H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson. B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
- S. Coffa, G.Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16 313 (1994)
- H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Houghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chan. Semicond. Sci. Technol., 8, 236 (1993)
- J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, Y.-H. Xie, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Poate. J. Appl. Phys., 70, 2667 (1991).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
