"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термического отжига на интенсивность полосы фотолюминесценции 1.54 мкм в легированном эрбием гидрогенизированном аморфном кремнии
Андреев А.А.1, Воронков В.Б.1, Голубев В.Г.1, Медведев А.В.1, Певцов А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si-Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50 раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.
  1. Rare Earth Doped Semiconductor II, ed by S. Coffa, A. Polman, and R.N. Schwartz [Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 1(Pittsburgh, DA, 1996)]
  2. A. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997)
  3. Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  4. M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E.Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zaharchenya. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
  5. Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина, В.Г. Голубев. ФТП, 30, 820 (1996)
  6. J.H. Shin, R. Serna, G.N. Hoven, A. Polman, W.G.J.H.M. Sark, A.M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett. 68, 997 (1996)
  7. A.R. Zanatta, L.A.O. Nunes. Appl. Phys. Lett., 70, 511 (1997)
  8. A.R. Zanatta, L.A.O. Nunes. Appl. Phys. Lett., 71, 3679 (1997)
  9. В.Б. Воронков, В.Г. Голубев, Н.И. Горшков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Д.Н. Суглобов, Н.А. Феоктистов. Письма ЖТФ, 24, вып. 13, 8 (1998)
  10. В.Б. Воронков, В.Г. Голубев, Н.И. Горшков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Д.Н. Суглобов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 40, 1433 (1998).
  11. W. Beyer. In: Tetrahedally--Bonded Amorphous Semiconductors, ed. by D. Adler and H. Fritzsche (Plenum Press, N.Y., 1985) p. 129
  12. W.B. Jackson, S.B. Zhang. In: Transport, Correlation and Structural Defects, ed by H. Fritzsche (World Scientific Publishing Company, Singapore, 1990) p. 63.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.