Рассматривается излучательная рекомбинация в предложенной ранее авторами delta-легированной сверхрешетке, которая может быть выращена на основе одного из хорошо известных монокристаллических полупроводников типа InSb, InAs и GaAs. Энергетическая диаграмма такой сверхрешетки состоит из чередующихся трапецеидальных потенциальных ям n- и p-типа для электронов и дырок. Для такой трапецеидальной сверхрешетки получено выражение для скорости излучательной рекомбинации и показано, что излучательное время жизни за счет пространственного разделения электронов и дырок может достигать величин порядка 1 мс и слабо зависит от температуры. Последнее связано с тем, что излучательная рекомбинация в трапецеидальной сверхрешетке определяется оптическими туннельными переходами электронов из состояний вблизи дна ям n-типа в состояния вблизи дна ям p-типа. Получено выражение для спектра люминесценции сверхрешетки, максимум которого отвечает энергии фотонов, много меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника, и может быть расположен в дальней инфракрасной области. Отмечается, что такая трапецеидальная сверхрешетка может быть эффективным преобразователем теплового излучения в сверхдлинноволновое.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.