"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельно-излучательная рекомбинация и люминесценция трапецеидальных delta-легированных сверхрешеток
Осипов В.В.1, Селяков А.Ю.1, Foygel M.2
1Государственный научный центр РФ "Орион" Москва, Россия
2South Dakota School of Mines and Technology Rapid City, SD, USA
Поступила в редакцию: 16 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Рассматривается излучательная рекомбинация в предложенной ранее авторами delta-легированной сверхрешетке, которая может быть выращена на основе одного из хорошо известных монокристаллических полупроводников типа InSb, InAs и GaAs. Энергетическая диаграмма такой сверхрешетки состоит из чередующихся трапецеидальных потенциальных ям n- и p-типа для электронов и дырок. Для такой трапецеидальной сверхрешетки получено выражение для скорости излучательной рекомбинации и показано, что излучательное время жизни за счет пространственного разделения электронов и дырок может достигать величин порядка 1 мс и слабо зависит от температуры. Последнее связано с тем, что излучательная рекомбинация в трапецеидальной сверхрешетке определяется оптическими туннельными переходами электронов из состояний вблизи дна ям n-типа в состояния вблизи дна ям p-типа. Получено выражение для спектра люминесценции сверхрешетки, максимум которого отвечает энергии фотонов, много меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника, и может быть расположен в дальней инфракрасной области. Отмечается, что такая трапецеидальная сверхрешетка может быть эффективным преобразователем теплового излучения в сверхдлинноволновое.
  1. В.В. Осипов, А.Ю. Селяков, M. Foygel. ФТП, 32, 221 (1998)
  2. В.В. Осипов, А.Ю. Селяков. В кн.: Тез. докл. III Всеросс. конф. по физике полупроводников (М., РИИС ФИАН, 1997) с. 81
  3. V.V. Osipov, A.Yu. Selyakov, M. Foygel. Proc. 1997 Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (Charlottesville, USA, 1997) p. 277
  4. V.V. Osipov, A.Yu. Selyakov, M. Foygel. Phys. St. Sol. (b), 205, 32 (1998)
  5. W. Franz. Zs. Naturforsch, 13a, 484 (1958)
  6. Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 34, 1138 (1958)
  7. Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов, В.А. Холоднов. ФТП, 14, 939 (1980)
  8. Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 14, 1186 (1980)
  9. Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 9, 99 (1980)
  10. Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 15, 1068 (1981)
  11. J. Maserjian, F.J. Grunthaner, C.T. Elliott. Infr. Phys., 30, 27 (1990)
  12. M. Foygel, E. Brenden, J.H. Seguin, V.V. Osipov. Phys. St. Sol. (b), 203, 255 (1997)
  13. W. Van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
  14. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  15. Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира (М., Мир, 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.