Электрофизические свойства переключающих слоистых структур на основе пленочных фторидов редкоземельных элементов
Рожков В.А.1, Шалимова М.Б.1
1Самарский государственный университет, Самара, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Представлены результаты исследования эффекта электрического переключения проводимости с памятью в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ. Методами вольт-амперных и вольтъемкостных измерений определены особенности высокоомного и низкоомного состояний структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Показано, что характеристики низкоомного состояния рассматриваемой структуры описываются моделью структуры металл-туннельный диэлектрик-полупроводник.
- S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
- J.R. Bosnell, C.B. Thomas. Sol. St. Electron., 15, 665 (1972)
- G.S. Nadkarni, V.S. Shirodrar. Thin Sol. Films, 105, 115 (1983)
- В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Письма ЖТФ, 18, 74 (1992)
- В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 27, 438 (1993)
- В.А. Рожков, Н.Н. Романенко. Письма ЖТФ, 19, 6 (1993)
- Vassilliki Bredimas. J. Appl. Phys., 75, 7922 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук