Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs при обработке в водородной плазме

Карпович И.А.¹, Аншон А.В.¹, Филатов Д.О.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние на спектры фотолюминесценции и конденсаторной фотоэдс гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs обработки структур в водородной плазме высокочастотного тлеющего разряда. Показано, что напряженные квантово-размерные гетерослои задерживают диффузию водорода и дефектов в объем, что приводит к существенному различию пространственного распределения и процессов образования рекомбинационно активных и пассивированных водорододефектных комплексов в гетероструктурах и в однородных слоях.

M. Stavola. Acta Phys. Pol. A, 82, 585 (1992)
R. Rahbi, B. Pajot, J. Chevallier, A. Marbeuf, R.C. Logan, M. Gavand. J. Appl. Phys., 73, 1723 (1992)
E.M. Omeljanovsky, A.V. Pakhomov, A.Y. Polyakov. Semicond. Sci. Technol., 4, 947 (1989)
Y.-L. Chang, I.-H. Tan, E. Hu, J. Merz, V. Emeliani, A. Frova. J. Appl. Phys., 75, 3040 (1994)
Ю.А. Бумай, Б.С. Явич, М.А. Синицин, А.Г. Ульяшин, Н.В. Шлопак, В.Ф. Воронин. ФТП, 28, 276 (1994)
S.M. Lord, G. Roos, J.S. Harris, N.M. Johnson. J. Appl. Phys., 73, 740 (1992)
Y.C. Chen, J. Singh, P.K. Bhattacharya. J. Appl. Phys., 74, 3800 (1993)
И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 30, 1745 (1996)
И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП. 26, 1886 (1992)
Y.-L. Chang, M. Krishnamurthy, I.-H. Tan, T. Hu, J. Merz, P.M. Petroff, A. Frova, V. Emiliani. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 170 (1993)
G. Lukovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
R. Rahbi, B. Pajot, J. Chevallier, A. Marbeuf, R.C. Logan, M. Gavand. J. Appl. Phys., 73, 1723 (1993)
И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, И.А. Карпович. ФТП, 27, 1344 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель