Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Расчет энергетических уровней мелкого акцептора в одноосно-деформированном германии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
Вариационным методом рассчитаны положения резонансных и локализованных энергетических уровней мелкой акцепторной примеси в одноосно-сжатом германии в пределе больших давлений. Приведена зависимость положения этих уровней от приложенного давления.
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис, Ф.А. Смирнов. ЖЭТФ, 74, 404 (1992)
- М.А. Одноблюдов, В.А. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 31, 1180 (1997)
- R. Buczko. Nuovo Cimento, 9D, 669 (1987)
- J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 97, 869 (1955)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 98, 915 (1955)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
