"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет энергетических уровней мелкого акцептора в одноосно-деформированном германии
Одноблюдов М.А.1, Чистяков В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Вариационным методом рассчитаны положения резонансных и локализованных энергетических уровней мелкой акцепторной примеси в одноосно-сжатом германии в пределе больших давлений. Приведена зависимость положения этих уровней от приложенного давления.
  1. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис, Ф.А. Смирнов. ЖЭТФ, 74, 404 (1992)
  2. М.А. Одноблюдов, В.А. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 31, 1180 (1997)
  3. R. Buczko. Nuovo Cimento, 9D, 669 (1987)
  4. J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 97, 869 (1955)
  5. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  6. J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 98, 915 (1955)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.