Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование фотоэдс в структурах <пористый Si>/Si методом импульсного фотонапряжения
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Технический университет Мюнхена, Гархинг, Германия
2Технический университет Мюнхена, Гархинг, Германия
Поступила в редакцию: 26 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Фотовольтаические явления в структурах < пористый Si>/Si ( por-Si/p-Si) исследованы методом импульсного фотонапряжения в интервале времен 100 нс-10 мс при облучении наносекундными лазерными импульсами с энергиями квантов 1.4, 2.0, 2.8 и 3.7 эВ. Полученные данные свидетельствуют о том, что кроме барьерной фотоэдс, обусловленной разделением неравновесных носителей заряда в области пространственного заряда p-Si на границе раздела por-Si/p-Si, также существует эффективный механизм формирования фотоэдс в результате перезарядки поверхности наноструктуры por-Si. Данный механизм реализуется специфическим для полупроводниковых наноструктур образом, объясняемым как "оптическое легирование" полупроводника.
- K. Jung, S. Shih, D. Kwong. J. Electron. Soc., 140, 346 (1993)
- B. Hamilton. Semicond. Sci. Technol., 10, 1187 (1995)
- M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2981 (1994)
- M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch, W. Schirmacher, M. Eberhard. Phys. Rev. B, 51, 2199 (1995)
- J.P. Zheng, K.L. Liao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Appl. Phys. Lett., 61, 459 (1992)
- G. Smestad, M. Kunst. Sol. Energ. Mat. \& Solar Cells, 26, 277 (1992)
- T. Ozaki, M. Araki, S. Yoshimura, H. Koyama, N. Koshida. J. Appl. Phys., 76, 1986 (1994)
- F. Yan, X.-M. Bao, T. Gao. Sol. St. Commun., 91, 341 (1994)
- N.J. Pulsford, G.L.J.A. Rikken, Y.A.R.R. Kessener, E.J. Lous, A.H.J. Venhuizen. J. Appl. Phys., 75, 636 (1994)
- D.W. Boeringer, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 65, 2332 (1994)
- Th. Dittrich, P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko. Thin Sol. Films, 255, 74 (1995)
- P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, A.B. Matveeva, V.Yu. Timoshenko. Appl.Phys. A, 62, 547 (1996)
- V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov, A.B. Matveeva, E.A. Konstantinova, H. Fliether, Th. Dittrich. Thin. Sol. Films, 276, 216 (1996)
- V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, Th. Dittrich. Jap. J. Appl. Phys., 36, L58 (1996)
- E. Yablonovitch, D.L. Allara, C.C. Chang, T. Gmitter, T.B. Bright. Phys. Rev. Lett., 57, 249 (1986)
- E.O. Jonson. Phys. Rev., 111, 153 (1958)
- Th. Dittrich, M. Braue, L. Elstner. Phys. St. Sol., 137, K29 (1993)
- K. Watanabe. Semicond. Sci. Technol., 9, 370 (1994)
- V.F. Kiselev, O.V. Krylov. Electronic Phenomena in Adsorption and Catalysis on Semiconductors and Dielectrics (Berlin, Springer Verlag, 1987)
- Д.Г. Яркин, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 29, 669 (1995)
- Полупроводники, под ред. Н.Б. Хеннея (М., ИЛ. 1962)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
