Вышедшие номера
Исследование фотоэдс в структурах <пористый Si>/Si методом импульсного фотонапряжения
Тимошенко В.Ю.1, Константинова Е.А.1, Дитрих Т.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Технический университет Мюнхена, Гархинг, Германия
Поступила в редакцию: 26 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Фотовольтаические явления в структурах < пористый Si>/Si ( por-Si/p-Si) исследованы методом импульсного фотонапряжения в интервале времен 100 нс-10 мс при облучении наносекундными лазерными импульсами с энергиями квантов 1.4, 2.0, 2.8 и 3.7 эВ. Полученные данные свидетельствуют о том, что кроме барьерной фотоэдс, обусловленной разделением неравновесных носителей заряда в области пространственного заряда p-Si на границе раздела por-Si/p-Si, также существует эффективный механизм формирования фотоэдс в результате перезарядки поверхности наноструктуры por-Si. Данный механизм реализуется специфическим для полупроводниковых наноструктур образом, объясняемым как "оптическое легирование" полупроводника.
  1. K. Jung, S. Shih, D. Kwong. J. Electron. Soc., 140, 346 (1993)
  2. B. Hamilton. Semicond. Sci. Technol., 10, 1187 (1995)
  3. M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2981 (1994)
  4. M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch, W. Schirmacher, M. Eberhard. Phys. Rev. B, 51, 2199 (1995)
  5. J.P. Zheng, K.L. Liao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Appl. Phys. Lett., 61, 459 (1992)
  6. G. Smestad, M. Kunst. Sol. Energ. Mat. \& Solar Cells, 26, 277 (1992)
  7. T. Ozaki, M. Araki, S. Yoshimura, H. Koyama, N. Koshida. J. Appl. Phys., 76, 1986 (1994)
  8. F. Yan, X.-M. Bao, T. Gao. Sol. St. Commun., 91, 341 (1994)
  9. N.J. Pulsford, G.L.J.A. Rikken, Y.A.R.R. Kessener, E.J. Lous, A.H.J. Venhuizen. J. Appl. Phys., 75, 636 (1994)
  10. D.W. Boeringer, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 65, 2332 (1994)
  11. Th. Dittrich, P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko. Thin Sol. Films, 255, 74 (1995)
  12. P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, A.B. Matveeva, V.Yu. Timoshenko. Appl.Phys. A, 62, 547 (1996)
  13. V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov, A.B. Matveeva, E.A. Konstantinova, H. Fliether, Th. Dittrich. Thin. Sol. Films, 276, 216 (1996)
  14. V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, Th. Dittrich. Jap. J. Appl. Phys., 36, L58 (1996)
  15. E. Yablonovitch, D.L. Allara, C.C. Chang, T. Gmitter, T.B. Bright. Phys. Rev. Lett., 57, 249 (1986)
  16. E.O. Jonson. Phys. Rev., 111, 153 (1958)
  17. Th. Dittrich, M. Braue, L. Elstner. Phys. St. Sol., 137, K29 (1993)
  18. K. Watanabe. Semicond. Sci. Technol., 9, 370 (1994)
  19. V.F. Kiselev, O.V. Krylov. Electronic Phenomena in Adsorption and Catalysis on Semiconductors and Dielectrics (Berlin, Springer Verlag, 1987)
  20. Д.Г. Яркин, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 29, 669 (1995)
  21. Полупроводники, под ред. Н.Б. Хеннея (М., ИЛ. 1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.