"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетеропереход на полупроводниках с цепочечной структурой TlSe--TlInSe2
Алексеев И.В.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Получен гетеропереход на основе полупроводников с цепочечной кристаллической структурой p-TlSe-p-TlInSe2. Для получения использован метод жидкофазной эпитаксии из расплава TlSe на поверхности естественного скола (110) кристалла TlInSe2. Полученная структура обладаает чувствительностью к свету и жесткой радиации. Исследованы некоторые фотоэлектрические свойства гетеропереходов.
  1. Х.Х. Вудбери, В кн.: Физика и химия соединений A3B6, пер. с англ. под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  2. R.W. Dutton, R.S. Muller. Sol. St. Electron., 11, 749 (1968)
  3. К.Д. Товстюк. Полупроводниковое материаловедение (Киев, Наук. думка, 1984)
  4. O. Lang, A. Klein. J. Cryst. Growth, 146, 439 (1995)
  5. O. Lang, C. Peterkoffer at al. In: Proc. 13th Photovoltaic Conference (Nizza, 1995)
  6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
  7. D. Muller, G. Eulenberger, H. Hahn. Z. Anorg. Allg. Chem., 398, 207 (1973)
  8. G.D. Guseinov, E. Mooser, I.V. Alekseev al al. Phys. St. Sol., 34, 33 (1969)
  9. И.В. Алексеев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 26, 1401 (1990)
  10. И.В. Алексеев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 28, 2404 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.