Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм анодной электролюминесценции пористого кремния в электролитах

Горячев Д.Н.¹, Беляков Л.В.¹, Полисский Г.², Сресели О.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия

Поступила в редакцию: 9 декабря 1997 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен и детально проанализирован механизм переноса носителей зарядов из электролита в пористый кремний, объясняющий его эффективную анодную электролюминесценцию. Показано, что при протекании тока через межфазную границу в электролите накапливаются электроактивные частицы - атомарные водород и кислород, являющиеся по отношению к пористому кремнию эффективными донорами и акцепторами электронов. Электролюминесценция в видимой области спектра возникает благодаря биполярной инжекции электронов и дырок из электролита в высокоомные квантово-размерные кристаллиты пористого кремния. Показано, что этот механизм в основных своих чертах является общим как для анодной, так и для катодной электролюминесценции, чем объясняется известное сходство этих двух процессов. Раскрыты детальные физико-химические процессы, лежащие в основе анодной люминесценции.

P.M.M. Bressers, J.W.J. Knaper, E.A. Meulenkamp, J.J. Kelly. Appl. Phys. Lett., 61, 108 (1992)
L.T. Canham, W.Y. Leong, M.I.J. Beale, T.I. Cox, L. Taylor. Appl. Phys. Lett., 61, 2563 (1992)
Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1815 (1993) [Semiconductors, 27, 999 (1993)]
A. Halimaoui, C. Oules, G. Bomchil, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller. Appl. Phys. Lett., 59, 304 (1991)
P.C. Searson, S.M. Prokes, O.J. Glembocki. J. Electrochem. Soc. 140, 3327 (1993)
Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, Л.В. Беляков. ФТП, 31, 1383 (1997) [Semiconductors, 31 716 (1997)].
O. Sreseli, D. Goryachev, G. Polisski, L. Belyakov, F. Koch. In: Pits and Pores: Formation, Properties and Significance for Advanced Luminescent Materials, ed. by D.J. Lockwood, P. Schmuki and A. Bsiesy (New Jersey, Pennington, USA, Electrochemical Sosiety inc., 1997), PV97-7, p. 184
L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
O.M. Sreseli, G. Polisski, D. Kovalev, D.N. Goryachev, L. V. Belyakov, F. Koch. In: Advanced Luminescent Materials, ed, by D.J. Lockwood, P.M. Fauchet, N. Koshida and S.R.J. Brueck (New Jersey, Pennington, USA, Electrochemical Sosiety inc., 1995), PV95-25, p. 24.
Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, Л.В. Беляков. Письма ЖТФ, 23, 58 (1997) [Technic. Phys. Lett., 23, 35 (1997)]
M. Ligeon, F. Muller, R. Herino, F. Gaspard, J.C. Vial, R. Romestain, S. Billat, A. Bsiesy. J. Appl. Phys. 74, 1264 (1993)
M.I.J. Beale, N.I. Cox, L.T. Canham, D. Brumhead. In: Microcrystalline Semiconductors: Materials Science and Diveces, ed. by P.M. Fauchet et al. (Pittsburg, PA, USA, 1993) [MRS Proc., 283, 377 (1993)]
A. Bsiesy, M.A. Hory, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, R. Rommestain, J.C. Vial. In: Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors (Pittsburg, PA, USA, 1995) [MRS Proc., 358, 619 (1995)]
В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965) [V.A. Myamlin, Yu.V. Pleskov. Electrochemistry of Semiconductors (N.Y., Plenum Press, 1967)]
С.О. Изидинов, А.П. Блохина, Л.А. Исмайлова. Электрохимия, 24, 1220 (1988)
Y. Kang, J. Jorne. J. Electrochem. Soc., 144, 3104 (1997)
Д. Добош. Электрохимические константы (М., Мир, 1980). [Пер. с англ. D. Dobos. Electrochemical Data (Budapest, Academiai Kiado, 1977)]
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, Д.И. Ковалев, Ф. Кох, В. Петрова-Кох, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 29, 1288 (1995) [Semiconductors, 29, 667 (1995)]
С.Р. Моррисон. Химическая физика поверхности твердого тела (М., Мир, 1980), [Пер. с англ.: S.R. Morrison. The Chemical Physics of Surfaces (N.Y.--London, Plenum Press, 1977)]
A. Halimaoui. Appl. Phys. Lett., 63, 1264 (1993)
A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, K. Herino, R. Romestain, J.C. Vial. Phys. Rev. Lett., 71, 637 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель